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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 III-V族半导体纳米线及其异质结的可控生长和性能表征 学位论文 北京: 中国科学院大学, 2018 作者:  季祥海 收藏  |  浏览/下载：127/0  |  提交时间：2018/06/04 Iii-v族半导体纳米线  异质结纳米线  自催化生长机制  金属有机化学气相沉积   Si基InAsSb纳米线MOCVD生长及机理研究 学位论文 博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016 杜文娜 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2016/05/31 InAsSb纳米线  生长机制  平面纳米线  纳米线阵列  金属有机化学气相沉积   蓝宝石图形衬底上GaN低温缓冲层的研究 期刊论文 半导体技术, 2011, 卷号: 36, 期号: 10, 页码: 760-764 作者:  吴猛 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2012/07/16 用于10Gb／s传输系统的电吸收调制器与分布反馈激光器集成光源 期刊论文 物理学报, 2006, 卷号: 55, 期号: 3, 页码: 1259-1263 作者:  王圩;  潘教青 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2010/11/23 超低压选择区域生长法制备产生10GHz重复率超短光脉冲的级联电吸收调制器与分布反馈激光器单片集成光源 期刊论文 物理学报, 2006, 卷号: 55, 期号: 1, 页码: 261-266 作者:  王圩;  潘教青 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/23 新工艺生长的InGaN量子点的结构与电学性质研究 期刊论文 功能材料与器件学报, 2003, 卷号: 9, 期号: 1, 页码: 13-16 作者:  韩培德 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/11/23