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半导体研究所 [2]
内容类型
学位论文 [1]
期刊论文 [1]
发表日期
2018 [1]
2010 [1]
学科主题
光电子学 [2]
半导体器件 [1]
半导体材料 [1]
半导体物理 [1]
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InGaN量子阱及薄膜材料特性研究
学位论文
北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者:
刘炜
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浏览/下载:169/0
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提交时间:2018/06/20
Ingan
量子阱
薄膜
极化效应
局域态
本底载流子浓度
器件参数对GaN基n+-GaN/i-Alx Ga1-xN/n+-GaN结构紫外和红外双色探测器中紫外响应的影响
期刊论文
物理学报, 2010, 卷号: 59, 期号: 12, 页码: 8903-8909
作者:
江德生
;
朱建军
;
张书明
;
邓懿
;
吴亮亮
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提交时间:2011/08/16
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