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半导体研究所 [10]
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学位论文 [4]
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2018 [1]
2016 [1]
2015 [1]
2014 [1]
2009 [1]
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学科主题:半导体材料
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InGaN量子阱及薄膜材料特性研究
学位论文
北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者:
刘炜
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浏览/下载:169/0
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提交时间:2018/06/20
Ingan
量子阱
薄膜
极化效应
局域态
本底载流子浓度
氮化物绿光发光材料的设计与性能研究
学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
任鹏
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2016/05/30
氮化物
绿光LED
能带设计
局域态
激光器
纳米柱
硫属铋系纳米结构材料合成及光电性质
学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
李仁雄
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浏览/下载:41/0
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提交时间:2015/05/11
硫属铋系纳米材料
纳米复合材料
低温光敏
局域光电流
接触势垒
荧光淬灭
不对称电极对器件
阶梯状带阶分布
场效应晶体管
Ⅲ族氮化物载流子局域特性研究
学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2014
李维
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2014/06/03
Ⅲ族氮化物
局域态
光致发光
时间分辨谱
厚度对MOCVD生长InN薄膜位错特性与光电性质的影响
期刊论文
物理学报, 2009, 卷号: 58, 期号: 5, 页码: 3416-3420
作者:
刘斌
;
陈涌海
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2010/11/23
AlInGaN合金的发光机制研究
期刊论文
人工晶体学报, 2003, 卷号: 32, 期号: 6, 页码: 574-578
作者:
黎大兵
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2010/11/23
AlInGaN材料的生长及其光学性质的研究
期刊论文
物理学报, 2003, 卷号: 52, 期号: 10, 页码: 2632-2637
黄劲松
;
董逊
;
刘祥林
;
徐仲英
;
葛维琨
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2010/11/23
硅中层错带中空位的电子态
期刊论文
半导体学报, 1998, 卷号: 19, 期号: 3, 页码: 161
王永良
;
Marklund S
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2010/11/23
InAs/GaAs自组织生长量子点结构中浸润层光致发光研究
期刊论文
半导体学报, 1997, 卷号: 18, 期号: 8, 页码: 631
吕振东
;
徐仲英
;
郑宝真
;
许继宗
;
王玉琦
;
王建农
;
葛惟锟
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浏览/下载:73/0
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提交时间:2010/11/23
GaInAs/AlInAs调制掺杂结构材料的光学性质研究
期刊论文
固体电子学研究与进展, 1996, 卷号: 16, 期号: 2, 页码: 121
作者:
江德生
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2010/11/23
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