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| 硅/石墨烯复合衬底上外延生长GaN纳米柱及制备方法 专利
专利号: CN109003888A, 申请日期: 2018-12-14, 公开日期: 2018-12-14
作者: 李国强; 高芳亮; 余粤锋; 徐珍珠
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| 双金属波导结构的太赫兹量子级联激光器制备方法及激光器 专利
专利号: CN107528214A, 申请日期: 2017-12-29, 公开日期: 2017-12-29
作者: 祁昶; 石新智; 叶双莉; 艾勇
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| 基于GeSn/SiGeSn材料的应变多量子阱激光器及其制作方法 专利
专利号: CN107342535A, 申请日期: 2017-11-10, 公开日期: 2017-11-10
作者: 刘艳; 高曦; 韩根全; 郝跃; 张庆芳
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| 一种氧化镁衬底生长氧化锌薄膜的方法 专利
专利号: CN105742158A, 申请日期: 2016-07-06, 公开日期: 2016-07-06
作者: 王惠琼; 李东华; 周华; 康俊勇
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| 宽光谱砷化铟/砷化铝镓量子点材料生长方法 专利
专利号: CN100459045C, 申请日期: 2009-02-04, 公开日期: 2009-02-04
作者: 刘宁; 金鹏; 王占国
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| 氢化物气相外延生长氮化镓膜中的低温插入层及制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN1587438, 申请日期: 2005-03-02, 公开日期: 2005-03-02
于广辉; 雷本亮; 叶好华; 齐鸣; 李爱珍
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| 射频等离子体分子束外延生长氮化镓的双缓冲层工艺 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN1395291, 申请日期: 2003-02-05, 公开日期: 2003-02-05
齐鸣; 李爱珍; 赵智彪
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