| 双金属波导结构的太赫兹量子级联激光器制备方法及激光器 | |
| 祁昶; 石新智; 叶双莉; 艾勇 | |
| 2017-12-29 | |
| 著作权人 | 武汉大学深圳研究院 |
| 专利号 | CN107528214A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 双金属波导结构的太赫兹量子级联激光器制备方法及激光器 |
| 英文摘要 | 本发明一种太赫兹量子级联激光器金属波导结构的制备方法及激光器，包括以下步骤：在半绝缘GaAs衬底上用分子束外延法依次生长刻蚀停止层、下接触层、多量子阱有源区、上接触层、n型重掺杂层和利用低温生长钝化层；形成非合金欧姆接触；在接收体衬底基片上依次沉积电接触增强金属层、金属In层和金属Au层；将器件基片与接收体基片进行倒装键合，沉积SiO2保护层，涂光刻胶、烤干；剥离光刻胶；去除SiO2保护层；形成肖特基二极管接触上电极金属层；形成下电极金属层；倒装键合基片解理、进行封装。本发明效降低了接触阻抗而且避免了太赫兹光电器件由于非控制掺杂分布的扩散造成的自由载流子的大量泄漏，有效减少退火工艺带来的波导损耗。 |
| 公开日期 | 2017-12-29 |
| 申请日期 | 2017-08-07 |
| 状态 | 申请中 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92131]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 武汉大学深圳研究院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 祁昶,石新智,叶双莉,等. 双金属波导结构的太赫兹量子级联激光器制备方法及激光器. CN107528214A. 2017-12-29. |
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