| 氢化物气相外延生长氮化镓膜中的低温插入层及制备方法 | |
| 于广辉 ; 雷本亮 ; 叶好华 ; 齐鸣 ; 李爱珍 | |
| 2005-03-02 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN1587438 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及一种氢化物气相外延(HVPE)氮化镓膜中的低温插入层及制备方法，其特征在于在GaN膜的HVPE制备过程中采用了低温AlN插入层的结构。在HVPE制备GaN膜的过程中，先在GaN模板上低温沉积一层AlN薄层，然后经高温退火后继续HVPE生长GaN层。低温AlN插入层的引入，释放了低温AlN层上继续生长的GaN膜中的应力，从而提高了GaN层的质量。这种方法简单易行，且对于低温AlN层的结晶质量要求不高，适合于科学实验和批量生产时采用，AlN层可以采用化学气相沉积、分子束外延或溅射等方法制备的。 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2005-03-02 |
| 申请日期 | 2004-07-30 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 200410053351.5 |
| 专利代理 | 潘振甦 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/48045]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 于广辉,雷本亮,叶好华,等. 氢化物气相外延生长氮化镓膜中的低温插入层及制备方法. CN1587438. 2005-03-02. |
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