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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 限定条件 专题：山东师范大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位    发表日期：2009     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 氨化温度对氨化Si基Ga2O3／Cr膜制备GaN纳米结构的影响 期刊论文 2009, 卷号: 40, 期号: 4, 页码: 595-597 作者:  王邹平[1];  薛成山[1];  庄惠照[1];  王英[1];  张冬冬[1] 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2020/01/04 Ga2O3/Cr膜  GaN纳米线  氨化温度  磁控溅射   钽催化磁控溅射法制备GaN纳米线(英文) 期刊论文 2009, 期号: 7, 页码: 1129-1131 作者:  薛成山;  李红;  庄惠照;  陈金华;  杨兆柱 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/01/04 纳米结构  氮化物  溅射   Si基Au催化合成镁掺杂GaN纳米线 期刊论文 2009, 卷号: 40, 期号: 2, 页码: 233-235 作者:  黄英龙[1];  薛成山[1];  庄惠照[1];  张冬冬[1];  王英[1] 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2020/01/07 磁控溅射  GaN纳米线  Mg  氨化   氨化Si基Ga2O3/V膜制备GaN纳米线（英文） 期刊论文 2009, 卷号: 38, 期号: 3, 页码: 377-379 作者:  杨兆柱;  薛成山;  庄慧照;  王公堂;  陈金华 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/01/07 磁控溅射  氮化镓  纳米线  光致发光   氧化物缓冲层制备Si（111）基GaN纳米线 期刊论文 2009, 卷号: 46, 期号: 10, 页码: 595-598 作者:  曹玉萍[1];  石锋[1];  孙海波[1];  薛成山[1] 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/31 氮化镓  硅衬底  磁控溅射  纳米结构  缓冲层   Mg掺杂GaN纳米线的结构及其特性 期刊论文 2009, 卷号: 25, 期号: 1, 页码: 113-115 作者:  薛成山[1];  张冬冬[1];  庄惠照[1];  黄英龙[1];  王邹平[1] 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/28 氮化镓  纳米线  单晶  Mg掺杂   化学气相沉积法制备GaN纳米线和纳米棒 期刊论文 2009, 卷号: 40, 期号: 1, 页码: 152-153 作者:  王英[1];  薛成山[1];  庄惠照[1];  王邹平[1];  张冬冬[1] 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/28 GaN纳米结构  NiCl2  CVD   钽催化磁控溅射法制备GaN纳米线 期刊论文 2009, 卷号: 0, 期号: 7, 页码: 1129-1131 作者:  薛成山;  李红;  庄惠照;  陈金华;  杨兆柱 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/28 纳米结构  氮化物  溅射   氨化Ga2O3/Nb膜制备的GaN纳米线的光学和微观结构特性的研究（英文） 期刊论文 2009, 卷号: 38, 期号: 4, 页码: 565-569 作者:  庄惠照;  李保理;  王德晓;  申加兵;  张士英 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/28 纳米线  氨化  GaN