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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理    发表日期：2006     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Mutual passivation of donors and isovalent nitrogen in GaAs 期刊论文 physical review letters, 2006, 卷号: 96, 期号: 3, 页码: art.no.035505 Li J; Carrier P; Wei SH; Li SS; Xia JB 收藏  |  浏览/下载：71/0  |  提交时间：2010/04/11 DILUTED GANXAS1-X ALLOYS  GROUP-IV DONORS  SEMICONDUCTOR ALLOYS  OPTICAL-PROPERTIES  BAND  GAN(X)AS1-X  IMPURITIES  HYDROGEN   The Stark effect on excitons in a bilayer system 期刊论文 journal of applied physics, 2006, 卷号: 100, 期号: 1, 页码: art.no.013512 Wang L (Wang Li); Li SS (Li Shu-Shen) 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2010/04/11 BOSE-EINSTEIN CONDENSATION  QUANTUM-WELLS  DOTS   Lifetime study of N impurity states in GaAs1-xNx (x=0.1%) under hydrostatic pressure 期刊论文 applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 20, 页码: art.no.201917 Wang WJ; Yang XD; Ma BS; Sun Z; Su FH; Ding K; Xu ZY; Li GH; Zhang Y; Mascarenhas A; Xin HP; Tu CW 收藏  |  浏览/下载：68/0  |  提交时间：2010/04/11 PAIR LUMINESCENCE  GAP-N  GAAS  EXCITONS  ALLOY   Pressure dependence of the near-band-edge photoluminescence from ZnO microrods at low temperature 期刊论文 journal of physics and chemistry of solids, 2006, 卷号: 67, 期号: 11, 页码: 2376-2381 Su FH (Su Fu Hai); Wang WJ (Wang Wen Jie); Ding K (Ding Kun); Li GH (Li Guo Hua); Liu YF (Liu Yuangfang); Joly AG (Joly Alan G.); Chen W (Chen Wei) 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2010/04/11 luminescence  phonon  OPTICAL-PROPERTIES  EXCITON  NANOWIRES  SAPPHIRE  GROWTH   Exciton states of vertically stacked self-assembled InAs quantum disks in an axial magnetic field 期刊论文 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2006, 卷号: 33, 期号: 1, 页码: 230-234 Dong QR; Li SS; Niu ZC; Feng SL 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2010/04/11 exciton states  quantum disks  magnetic field  ELECTRONIC-STRUCTURE  FINE-STRUCTURE  DOT SYSTEMS   Electronic states in InAs quantum spheres and ellipsoids 期刊论文 physical review b, 2006, 卷号: 73, 期号: 16, 页码: art.no.165326 Zhu YH; Zhang XW; Xia JB 收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2010/04/11 LEVEL STRUCTURE  DOTS  SEMICONDUCTORS  PARAMETERS  INSB   Recombination property of nitrogen-acceptor-bound states in ZnO 期刊论文 journal of applied physics, 2006, 卷号: 99, 期号: 4, 页码: art.no.046101 Yang XD; Xu ZY; Sun Z; Sun BQ; Ding L; Wang FZ; Ye ZZ 收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2010/04/11 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  P-TYPE ZNO  OPTICAL-PROPERTIES  EXCITON FORMATION  PHOTOLUMINESCENCE  FILMS  SPECTROSCOPY  DYNAMICS  IMPURITY  ENERGY   Electronic structure and binding energy of a hydrogenic impurity in a hierarchically self-assembled GaAs/AlxGa1-xAs quantum dot 期刊论文 journal of applied physics, 2006, 卷号: 100, 期号: 8, 页码: art.no.083714 Li SS (Li Shu-Shen); Xia JB (Xia Jian-Bai) 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2010/04/11 SEMICONDUCTORS  STATES