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基于Pt纳米颗粒修饰GaN纳米线的紫外光电探测器及其制造方法 专利
专利号: 201611068958.X, 申请日期: 2019-10-22,
作者:  刘宝丹、张兴来、刘青云、杨文进、李晶、刘鲁生、姜辛
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基于单根孪晶结构GaN纳米线的紫外光电探测器及制备方法 专利
专利号: 201610818729.9, 申请日期: 2019-10-22,
作者:  姜辛、刘宝丹、张兴来、刘青云、贾文博、刘鲁生
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