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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 发表日期：2018    专题：大连理工大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 High voltage InGaN/GaN/AlGaN RTD suitable for ESD protection applications of GaN/InGaN-based devices and ICs validated by simulation results 会议论文 2018 25TH IEEE INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON THE PHYSICAL AND FAILURE ANALYSIS OF INTEGRATED CIRCUITS (IPFA), 2018-01-01 作者:  Zhang Haipeng;  Geng Lu;  Lin Mi;  Zhang Zhonghai;  Lu Weifeng 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/02 InGaN/GaN/AlGaN  High voltage RTD  ESD protection  GaN/InGaN-based devices and ICs  United quantum regulation   Investigation of InGaN Layer Grown Under In-Rich Condition by Reflectance Difference Spectroscopy Microscope 期刊论文 JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY, 2018, 卷号: 18, 页码: 7468-7472 作者:  Zheng, Xiantong;  Huang, Wei;  Liang, Hongwei;  Wang, Ping;  Liu, Yu 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/02 InGaN  Microplates  mu-RDS   Effect of indium droplets on growth of InGaN film by molecular beam epitaxy 期刊论文 SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2018, 卷号: 113, 页码: 650-656 作者:  Zheng, Xiantong;  Liang, Hongwei;  Wang, Ping;  Sun, Xiaoxiao;  Chen, Zhaoying 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/02 In droplet  InGaN  MBE   Anomalous indium incorporation and optical properties of high indium content InGaN grown by MOCVD 期刊论文 JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2018, 卷号: 735, 页码: 1239-1244 作者:  Liu, Jianxun;  Liang, Hongwei;  Xia, Xiaochuan;  Abbas, Qasim;  Liu, Yang 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/02 InGaN  High indium content  Optical properties  Indium incorporation  MOCVD   分子束外延InGaN合金及其光电导行为研究 学位论文 : 大连理工大学, 2018 作者:  郑显通 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/02 铟镓氮  分子束外延  铟液滴  光电导   A GaN/InGaN/AlGaN MQW RTD for versatile MVL applications with improved logic stability 期刊论文 Journal of Semiconductors, 2018, 卷号: 39, 页码: 7400401-7400411 作者:  Haipeng Zhang;  Wang DJ(王德君) 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/02