×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
寒区旱区环境与工程研... [2]
西安光学精密机械研究... [2]
地球环境研究所 [1]
上海硅酸盐研究所 [1]
内容类型
期刊论文 [4]
专利 [2]
发表日期
2019 [1]
2015 [2]
2012 [1]
1992 [1]
1991 [1]
学科主题
无机非金属材料 [1]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共6条,第1-6条
帮助
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
题名升序
题名降序
作者升序
作者降序
Stable isotopes of atmospheric water vapour and precipitation in the northeast Qinghai-Tibetan Plateau
期刊论文
HYDROLOGICAL PROCESSES, 2019, 页码: 13
作者:
Wu, Huawu
;
Li, Xiao-Yan
;
Zhang, Jianming
;
Li, Jing
;
Liu, Jinzhao
收藏
  |  
浏览/下载:10/0
  |  
提交时间:2020/06/05
back trajectory
isotopes
Qinghai Lake watershed
reevaporation
Tibetan Plateau
water vapour
An overview of precipitation isotopes over the Extensive Hexi Region in NW China
期刊论文
ARABIAN JOURNAL OF GEOSCIENCES, 2015, 卷号: 8, 期号: 7, 页码: 4365-4378
作者:
Guo, Xiaoyan
;
Feng, Qi
;
Wei, Yongping
;
Li, Zongxing
;
Liu, Wei
收藏
  |  
浏览/下载:34/0
  |  
提交时间:2019/10/09
Extensive Hexi Corridor
Precipitation
Stable isotope
d-excess
Moisture sources
An overview of precipitation isotopes over the Extensive Hexi Region in NW China (SCI)
期刊论文
Arabian Journal of Geosciences, 2015, 卷号: 8, 期号: 7, 页码: 4365-4378
作者:
Guo X. Y.
;
Feng Q.
;
Wei Y. P.
;
Li Z. X.
;
Liu W.
收藏
  |  
浏览/下载:11/0
  |  
提交时间:2016/06/29
Post-annealing Effect on Microstructures and Thermoelectric Properties of Bi0.45Sb1.55Te3 Thin Films Deposited by Co-sputtering
期刊论文
JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 2012, 卷号: 41, 期号: 11, 页码: 3068-3072
作者:
Song, Junqiang
;
Chen, Xihong
;
Tang, Yunshan
;
Yao, Qin
;
Chen, Lidong
收藏
  |  
浏览/下载:22/0
  |  
提交时间:2013/07/19
Thermoelectric
bismuth telluride
sputtering
thin film
post-annealing
Formation method of compound semiconductor layer
专利
专利号: JP1992245417A, 申请日期: 1992-09-02, 公开日期: 1992-09-02
作者:
HATA TOSHIO
;
KANEIWA SHINJI
;
KONDO MASAFUMI
;
HOSOBANE HIROYUKI
;
SUYAMA NAOHIRO
收藏
  |  
浏览/下载:20/0
  |  
提交时间:2020/01/18
Manufacture of semiconductor laser, and semiconductor laser
专利
专利号: JP1991131081A, 申请日期: 1991-06-04, 公开日期: 1991-06-04
作者:
KONDO MASATO
收藏
  |  
浏览/下载:9/0
  |  
提交时间:2019/12/31
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace