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Impacts of carbon ions on SEU in SOI SRAM
期刊论文
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2021, 卷号: 126, 页码: 6
作者:
Gao, J.
;
Zhang, Q.
;
Xi, K.
;
Li, B.
;
Wang, C.
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2022/01/24
SEE
SEU
SOI SRAM
C
Measurement and evaluation of the Single Event Effects of high-performance SerDes circuits
期刊论文
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION A-ACCELERATORS SPECTROMETERS DETECTORS AND ASSOCIATED EQUIPMENT, 2021, 卷号: 1012, 页码: 11
作者:
Wang, Shu
;
Cai, Chang
;
Ning, Bingxu
;
He, Ze
;
Huang, Zhiqin
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2021/12/08
SerDes
SRAM-based FPGA
Single Event Upset
Single Event Functional Interrupt
CIS单粒子效应机理及模拟试验方法
学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:
蔡毓龙
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浏览/下载:41/0
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提交时间:2021/08/27
CMOS图像传感器
单粒子效应
空间辐射效应
Geant4
Heavy ion track straggling effect in single event effect numerical simulation of 3D stacked devices
期刊论文
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2020, 卷号: 114, 页码: 10
作者:
Liu, T. Q.
;
Li, D. Q.
;
Cai, C.
;
Zhao, P. X.
;
Shen, C.
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2021/12/13
SEE Sensitivity Evaluation for Commercial 16 nm SRAM-FPGA
期刊论文
ELECTRONICS, 2019, 卷号: 8, 期号: 12, 页码: 12
作者:
Cai, Chang
;
Gao, Shuai
;
Zhao, Peixiong
;
Yu, Jian
;
Zhao, Kai
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浏览/下载:38/0
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提交时间:2022/01/19
field-programmable gate arrays
embedded block memory
single event
fault tolerance
radiation effect
Preliminary single event effect distribution investigation on 28 nm soc using heavy ion microbeam
期刊论文
Nuclear instruments & methods in physics research section b-beam interactions with materials and atoms, 2019, 卷号: 450, 页码: 323-326
作者:
Yang, Weitao
;
Du, Xuecheng
;
Guo, Jinlong
;
Wei, Junze
;
Du, Guanghua
收藏
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浏览/下载:113/0
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提交时间:2019/10/08
Single event effect (see)
System on chip (soc)
Heavy ion microbeam
On-chip-memory (ocm)
Preliminary single event effect distribution investigation on 28 nm SoC using heavy ion microbeam
期刊论文
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2019, 卷号: 450, 页码: 323-326
作者:
Yang, Weitao
;
Du, Xuecheng
;
Guo, Jinlong
;
Wei, Junze
;
Du, Guanghua
收藏
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浏览/下载:72/0
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提交时间:2019/11/10
Single event effect (SEE)
System on Chip (SoC)
Heavy ion microbeam
On-chip-memory (OCM)
Effects of total ionizing dose on single event effect sensitivity of FRAMs
期刊论文
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2019, 卷号: 95, 页码: 1-7
作者:
Ji, Qinggang
;
Liu, Jie
;
Li, Dongqing
;
Liu, Tianqi
;
Ye, Bing
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浏览/下载:54/0
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提交时间:2019/11/10
Ferroelectric random access memory
Total ionizing dose
Single event effect
TCAD simulation
Heavy ion-induced single event effects in active pixel sensor array
期刊论文
SOLID-STATE ELECTRONICS, 2019, 卷号: 152, 期号: 2, 页码: 93-99
作者:
Cai, YL (Cai, Yu-Long)[ 1,2,3 ]
;
Guo, Q (Guo, Qi)[ 1,2 ]
;
Li, YD (Li, Yu-Dong)[ 1,2 ]
;
Wen, L (Wen, Lin)[ 1,2 ]
;
Zhou, D (Zhou, Dong)[ 1,2 ]
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浏览/下载:127/0
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提交时间:2019/01/03
CMOS active pixel sensor (APS)
SEE
Heavy ion
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