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| 氮化物半导体基板及其制造方法以及半导体器件 专利
专利号: CN110036144A, 申请日期: 2019-07-19, 公开日期: 2019-07-19
作者: 藤原康文; 朱婉新; 小泉淳; 布兰登·米切尔; 汤姆·格雷戈尔凯维奇
  收藏 | 浏览/下载：15/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| AlN材料中缺陷调控及物性研究 学位论文
中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2019
作者: 贲建伟
收藏 | 浏览/下载：2/0 | 提交时间：2020/08/24
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| 二维GaN基材料CVD制备与理论研究 学位论文
: 西安理工大学, 2019
作者: 赵滨悦
收藏 | 浏览/下载：7/0 | 提交时间：2019/12/20
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| 衬底斜切角对氮化镓基材料生长与光电性质影响研究 学位论文
: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所, 2018
作者: 江灵荣
收藏 | 浏览/下载：84/0 | 提交时间：2019/03/28
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| V形坑缺陷对GaN材料性能影响研究 学位论文
中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2018
作者: 付英昊
收藏 | 浏览/下载：0/0 | 提交时间：2019/09/23
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| 三色光源 专利
专利号: CN106415953A, 申请日期: 2017-02-15, 公开日期: 2017-02-15
作者: 中西裕美
收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2019/12/31 |
| 一种GaN基异质结绿光激光器件 专利
专利号: CN205901069U, 申请日期: 2017-01-18, 公开日期: 2017-01-18
作者: 王辉; 王冰; 赵洋; 李新忠; 王静鸽
收藏 | 浏览/下载：19/0 | 提交时间：2019/12/26 |
| 原位SiNx预处理改善InGaN/GaN量子阱晶体质量与发光特性 学位论文
2016, 2016
黄德猛
收藏 | 浏览/下载：14/0 | 提交时间：2017/06/20
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| 石墨烯应用于GaN基材料的研究进展 期刊论文
发光学报, 2016, 期号: 7, 页码: 778-785
作者: 徐昌一
收藏 | 浏览/下载：7/0 | 提交时间：2017/09/17
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| 低维InGaN/GaN材料发光特性研究 学位论文
2016, 2015
赵婉茹
收藏 | 浏览/下载：2/0 | 提交时间：2017/06/20
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