CORC

在结果中检索

CORC

浏览/检索结果: 共80条，第1-10条 帮助

已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
稀氮（Ga(In)AsN）材料的位移损伤效应研究 学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020
作者:  雷琪琪
收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2020/11/19
GaAsN/GaAs量子阱在1 MeV电子束辐照下的退化规律 期刊论文
发光学报, 2020, 卷号: 41, 期号: 5, 页码: 603-609
作者:  雷琪琪;  郭旗;  艾尔肯·阿不都瓦衣提;  玛丽娅·黑尼;  李豫东
收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2020/05/15
Formation energies of substitutional N-As and split interstitial complexes in dilute GaAsN alloys with different growth orientations 期刊论文
Applied Physics A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 2018, 卷号: 124, 期号: 2, 页码: 108(1-5)
作者:  Li J(李健);  Han XX(韩修训);  Dong C(董琛);  Fan, Changzeng;  Han XX(韩修训)
收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2018/06/11
Formation energies of substitutional N-As and split interstitial complexes in dilute GaAsN alloys with different growth orientations 期刊论文
2018, 卷号: 124, 期号: 2
作者:  Li, Jian[1,2];  Han, Xiuxun[2];  Dong, Chen[2,3];  Fan, Changzeng[4]
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/30
Impacts of growth orientation and N incorporation on the interface-states and the electrical characteristics of Cu/GaAsN Schottky barrier diodes 期刊论文
Physica B: Condensed Matter, 2017, 卷号: 527, 页码: 52-56
作者:  Li J(李健);  Han XX(韩修训);  Gao, Xin;  Yoshio Ohshita;  Han XX(韩修训)
收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2017/12/18
(n11)取向GaAsN外延材料的Si掺杂行为及肖特基接触特性研究 学位论文
工程硕士, 北京: 中国科学院大学, 2016
作者:  董琛
收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2016/11/24
Electrical characterization of Cu Schottky contacts to n-type GaAsN grown on (311)A/B GaAs substrates 期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2016, 卷号: 657, 页码: 325-329
作者:  Dong C(董琛);  Han XX(韩修训);  Gao, Xin;  Yoshio Ohshita;  Masafumi Yamaguchi
收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2015/12/30
Impact of the substrate orientation on the N incorporation in GaAsN: Theoretical and experimental investigations 期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2016, 卷号: 687, 页码: 42-46
作者:  Li J(李健);  Han XX(韩修训);  Dong C(董琛);  Fan ZZ(范长增);  Yoshio Ohshita
收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2016/10/25
Growth orientation dependence of Si doping in GaAsN 期刊论文
Journal of Applied Physics, 2015, 卷号: 117, 期号: 5, 页码: 055706(1-4)
作者:  Han XX(韩修训);  Dong C(董琛);  Feng, Qiang;  Ohshita, Yoshio;  Yamaguchi, Masafumi
收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2015/12/30
Growth orientation dependence of Si doping in GaAsN 期刊论文
Journal of Applied Physics, 2015, 卷号: 117, 期号: 5, 页码: 4
作者:  Han, X. X.;  C. Dong;  Q. Feng;  Y. Ohshita and M. Yamaguchi
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2016/07/15

©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by CSpace