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超辐射发光二极管或激光器外延结构及其制备方法 专利
专利号: CN106898948A, 申请日期: 2017-06-27, 公开日期: 2017-06-27
作者:  高雪;  周坤;  孙逸;  冯美鑫;  刘建平
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宽禁带半导体材料光学性质的研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
刘雅丽
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高Al组分AlGaN量子结构材料设计、外延及其在紫外发光二极管的应用 学位论文
2013, 2013
杨伟煌
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InGaN太阳能电池的制备及特性研究 学位论文
2013, 2013
雷廷平
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GaN/AlN组织平顶金字塔量子点的应变场分布 期刊论文
光电子·激光, 2006, 卷号: 17, 期号: 4, 页码: 381-385
刘玉敏; 俞重远; 杨红波; 黄永箴
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自组装GaN/AlN量子点结构生长的初步研究 学位论文
: 大连理工大学, 2002
作者:  常久伟
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