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| 低V型缺陷密度的GaN基多量子阱激光器外延片及制备方法 专利
专利号: CN109873299A, 申请日期: 2019-06-11, 公开日期: 2019-06-11
作者: 杨静; 赵德刚; 朱建军; 陈平; 刘宗顺
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| 一种绿光激光器外延片及其制备方法 专利
专利号: CN105449522B, 申请日期: 2019-04-16, 公开日期: 2019-04-16
作者: 杨静; 赵德刚; 陈平; 朱建军
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| 一种利用二维材料隔层外延生长激光器的方法 专利
专利号: CN108767659A, 申请日期: 2018-11-06, 公开日期: 2018-11-06
作者: 汪莱; 王磊; 余佳东; 郝智彪; 罗毅
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| 一种非极性紫外LED 专利
专利号: CN208014734U, 申请日期: 2018-10-26, 公开日期: 2018-10-26
作者: 王文樑; 李国强; 郑昱林; 阳志超
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| 应力调控波导层绿光激光器外延片及其制备方法 专利
专利号: CN105811243B, 申请日期: 2018-10-26, 公开日期: 2018-10-26
作者: 杨静; 赵德刚; 陈平; 朱建军; 刘宗顺
收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2019/12/26 |
| InGaN/AlInN量子阱激光器及其制作方法 专利
专利号: CN107579432A, 申请日期: 2018-01-12, 公开日期: 2018-01-12
作者: 郭志友; 侯玉菲; 孙慧卿; 汪鑫; 张秀
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| AlGaN基深紫外LED发光特性研究 学位论文
: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所, 2018
作者: 陈刚
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| MOCVD生长高质量InGaN/AlGaN MQW紫光LED的研究 期刊论文
科技视界, 2018, 页码: 177-178
作者: 唐健江; 刘波波; 杨建锋; 白俊春
收藏 | 浏览/下载：11/0 | 提交时间：2019/11/26
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| V形坑缺陷对GaN材料性能影响研究 学位论文
中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2018
作者: 付英昊
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| 基于分布式布拉格反射镜波导微腔的硅衬底GaN激光器 专利
专利号: CN107404067A, 申请日期: 2017-11-28, 公开日期: 2017-11-28
作者: 施政; 沈湘菲; 王永进; 蒋元; 袁佳磊
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