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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 A quantitative analysis of an in situ Xe ion implantation experiment on single crystal molybdenum via a molecular dynamics informed kinetic rate theory simulation 期刊论文 JOURNAL OF NUCLEAR MATERIALS, 2020, 卷号: 540, 页码: 8 作者:  Yun, Di;  Rest, Jeff;  Zhang, Wenhua;  Xie, Xin;  Liu, Wenbo 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2021/12/15 Kinetic rate theory  Molecular dynamics  Fission gas  Diffusion  Molybdenum   TEM and XAS investigation of fission gas behaviors in U-Mo alloy fuels through ion beam irradiation 期刊论文 JOURNAL OF NUCLEAR MATERIALS, 2017, 卷号: 494, 页码: 165-171 作者:  Zang, Hang;  Yun, Di;  Mo, Kun;  Wang, Kunpeng;  Mohamed, Walid 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/11/26 Metallic alloy fuels  Ion irradiation  XAS  U-Mo alloy  Fission gas behaviors  Xe bubble   Gas-phase chemistry of ruthenium and rhodium carbonyl complexes 期刊论文 PHYSICAL CHEMISTRY CHEMICAL PHYSICS, 2016, 卷号: 18, 页码: 119-125 作者:  Qin, Zhi;  Haba, Hiromitsu;  Komori, Yukiko;  Wu, Xiaolei;  Tan, Cunmin 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2018/05/31 Gas-phase chemistry of technetium carbonyl complexes 期刊论文 PHYSICAL CHEMISTRY CHEMICAL PHYSICS, 2015, 卷号: 17, 页码: 13228-13234 作者:  Wang, Yang;  Tan, Cun-Min;  Wu, Xiao-Lei;  Cao, Shi-Wei;  Komori, Yukiko 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2018/05/31 Theoretical study of the interaction between metallic fission products and defective graphite 期刊论文 COMPUTATIONAL MATERIALS SCIENCE, 2015, 卷号: 106, 页码: 129—134 作者:  Xia, DQ;  Ren, CL;  Zhang, W;  Han, H;  Wang, CB 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2015/12/09 MINIMUM ENERGY PATHS  ELASTIC BAND METHOD  SADDLE-POINTS  ELECTRON-GAS  GRAPHENE  1ST-PRINCIPLES   Gas-phase chemistry of technetium carbonyl complexes 期刊论文 Physical chemistry chemical physics, 2015, 卷号: 17, 期号: 20, 页码: 13228-13234 作者:  Wang, Yang;  Qin, Zhi;  Fan, Fang-Li;  Haba, Hiromitsu;  Komori, Yukiko 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2019/05/10 Defect-related emission characteristics of nonpolar m-plane GaN revealed by selective etching 期刊论文 journal of crystal growth, 2011, 卷号: 314, 期号: 1, 页码: 141-145 作者:  Duan RF 收藏  |  浏览/下载：80/4  |  提交时间：2011/07/05 CL  PL  Stacking fault  HVPE  GaN  Nonpolar  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  ACCEPTOR PAIR EMISSION  PHASE EPITAXY  GROWN GAN  SEMICONDUCTORS  SAPPHIRE  FILMS  NITRIDE