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Tribological property of MoS2-Cr3O4 nanocomposite films prepared by PVD and liquid phase synthesis
期刊论文
Surface & Coatings Technology, 2020, 期号: 403, 页码: 126382
作者:
Dong CM(董春萌)
;
Cui QF(崔琦峰)
;
Gao XM(高晓明)
;
Jiang D(姜栋)
;
Fu YL(伏彦龙)
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2020/11/16
Evolutions of morphology and electronic properties of few-layered MoS2 exposed to UVO
期刊论文
RESULTS IN PHYSICS, 2020, 卷号: 19, 页码: -
作者:
Liu, JX
;
Sun, KL
;
Zheng, XM
;
Wang, ST
;
Lian, SC
收藏
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浏览/下载:43/0
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提交时间:2021/09/06
TRANSITION-METAL DICHALCOGENIDES
MONOLAYER MOS2
PHOTOLUMINESCENCE
TRANSISTORS
BULK
WSE2
Iodine-assisted antisolvent engineering for stable perovskite solar cells with efficiency >21.3 %
期刊论文
Nano Energy, 2020, 卷号: 67, 页码: 8
作者:
F. Y. Wang,M. F. Yang,S. Yang,X. Qu,L. L. Yang,L. Fan,J. H. Yang and F. Rosei
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2021/07/06
van der Waals Epitaxial Growth of Atomically Thin 2D Metals on Dangling‐Bond‐Free WSe2 and WS2.
期刊论文
Advanced Functional Materials, 2019, 卷号: Vol.29 No.12
作者:
Wu, RX
;
Tao, QY
;
Dang, WQ
;
Liu, Y
;
Li, B
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2019/12/13
2D materials
chemical vapor deposition
field‐effect transistors
transition metal dichalcogenides
van der Waals epitaxy
Iron Clusters Embedded in Graphene Nanocavities: Heat-Induced Structural Evolution and Catalytic C-C Bond Breaking
期刊论文
ACS APPLIED NANO MATERIALS, 2019, 卷号: 2, 期号: 1, 页码: 535—545
作者:
Chen, S
;
Bie, J
;
Fa, W
;
Zha, YC
;
Gao, Y
收藏
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2019/12/30
METAL
TRANSITION
GROWTH
NANORIBBONS
MEMBRANES
Observation of structure transition as a function of temperature in depositing hydrogenated sp(2)-rich carbon films
期刊论文
Applied Surface Science, 2018, 卷号: 439, 期号: 0, 页码: 1152-1157
作者:
Wang YF(王永富)
;
Gao KX(高凯雄)
;
Zhang JY(张俊彦)
;
Zhang JY(张俊彦)
收藏
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浏览/下载:38/0
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提交时间:2018/06/01
Hydrogenated Amorphous Carbon Film
Graphite-like
Fullerene-like
Aromatic Clustering
Radiation Effect on the Electron Transport Properties of SiO2/Si Interface: Role of Si Dangling-Bond Defects and Oxygen Vacancy
会议论文
作者:
Qu, Guanghao
;
Min, Daomin
;
Zhao, Zhonghua
;
Frechette, Michel
;
Li, Shengtao
收藏
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2019/11/19
electronic structure
radiation damage
dangling-bonds defects
SiO2/Si
first principle calculation
interface
oxygen vacancy
The total ionizing dose effect on SiO2 and new high-k gate dielectrics under gamma-ray irradiation
会议论文
作者:
Ding, Man
;
Cheng, Yonghong
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2019/11/19
Equivalent oxide thickness
Gamma irradiation
Gamma-ray irradiation
Interface trapped charges
Silicon dangling bond
Thermally oxidized
Total ionizing dose effects
Trapping efficiencies
Electron-selective quinhydrone passivated back contact for high-efficiency silicon/organic heterojunction solar cells
期刊论文
SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS, 2018, 卷号: 185, 页码: 218-225
作者:
Zou, Ziyu
;
Liu, Weiqing
;
Wang, Dan
;
Liu, Zhaolang
;
Jiang, Ershuai
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浏览/下载:46/0
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提交时间:2018/12/04
Silicon Surfaces
Rear Contacts
Spectroscopy
Temperature
Pedotpss
Si(111)
Adhesive transfer at copper/diamond interface and adhesion reduction mechanism with fluorine passivation: A first-principles study
期刊论文
CARBON, 2018, 卷号: 127, 页码: 548-556
作者:
Pu, Jibin
;
Liu, Zengjia
;
Zheng, Shaoxian
;
Lu, Zhibin
;
Zhang, Guangan
收藏
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2018/12/04
Diamond-like Carbon
Ab-initio
Electronic-structure
1st Principles
Surface-energy
Dangling-bond
Hydrogen
Friction
Reconstruction
Films
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