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质子辐照对RADFETs的γ辐照剂量响应的影响研究
期刊论文
核技术, 2022, 卷号: 45, 期号: 1, 页码: 39-45
作者:
马函1,2
;
孙静1
;
何承发1
;
荀明珠1
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浏览/下载:30/0
  |  
提交时间:2022/01/25
RADFETs
质子辐照
γ剂量标定
陷阱电荷分离
三维数值仿真研究锗硅异质结双极晶体管总剂量效应
期刊论文
物理学报, 2022, 卷号: 71, 期号: 5, 页码: 314-324
作者:
张晋新1
;
王信2
;
郭红霞2,3
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浏览/下载:40/0
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提交时间:2022/03/17
锗硅异质结双极晶体管
总剂量效应
三维数值模拟
一种抗辐射加固SOI材料的总剂量辐射性能评估方法
专利
申请日期: 2021-02-19,
作者:
郑齐文
;
崔江维
;
余学峰
;
李豫东
;
郭旗
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2021/12/02
高温环境下PMOS剂量计的剂量响应研究(英文)
期刊论文
原子能科学技术, 2021, 卷号: 55, 期号: 12, 页码: 2175-2182
作者:
马函1,2
;
孙静1
;
何承发1
;
荀明珠1
收藏
  |  
浏览/下载:27/0
  |  
提交时间:2022/01/25
高温环境
RADFETs
辐照响应
背照式CMOS图像传感器的累积辐射效应研究
学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020
作者:
张翔
收藏
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2020/11/19
背照式CMOS 图像传感器
总剂量效应
位移损伤效应
22nm体硅FinFET总剂量效应及热载流子可靠性研究
学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020
作者:
王保顺
收藏
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浏览/下载:29/0
  |  
提交时间:2020/11/19
鳍式场效应晶体管
总剂量效应
热载流子可靠性
双极电压比较器LM311电离总剂量与单粒子瞬态协同效应研究
期刊论文
电子学报, 2020, 卷号: 48, 期号: 8, 页码: 1635-1640
作者:
王利斌
;
姚帅
;
陆妩
;
王信
;
于新
收藏
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2020/10/09
电离总剂量
单粒子瞬态
协同效应
双极电压比较器
偏置条件对国产SiGe BiCMOS器件总电离辐射效应的影响
期刊论文
辐射研究与辐射工艺学报, 2020, 卷号: 38, 期号: 5, 页码: 64-70
作者:
王利斌
;
王信
;
吴雪
;
李小龙
;
刘默寒
收藏
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浏览/下载:19/0
  |  
提交时间:2020/11/03
SiGe BiCMOS
偏置条件
电离总剂量
氧化物陷阱电荷
界面态
22 nm体硅FinFET热载流子及总剂量效应研究
期刊论文
固体电子学研究与进展, 2020, 卷号: 40, 期号: 5, 页码: 384-388
作者:
王保顺
;
崔江维
;
郑齐文
;
席善学
;
魏莹
收藏
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浏览/下载:59/0
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提交时间:2020/11/17
鳍式场效应晶体管
热载流子注入效应
总剂量效应
电离总剂量效应对4T CMOS图像传感器暗电流影响的数值仿真
期刊论文
数值计算与计算机应用, 2020, 卷号: 41, 期号: 2, 页码: 143-150
作者:
魏莹
;
文林
;
李豫东
;
郭旗
收藏
  |  
浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2020/09/07
CMOS图像传感器
电离总剂量辐射效应
TCAD仿真
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