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| 基于GaAs(001)衬底的CdTe缓冲层和HgTe多层膜的分子束外延生长及其运输行为 学位论文
中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者: 余之峰
  收藏 | 浏览/下载：17/0 | 提交时间：2021/11/30 |
| 稀氮（Ga(In)AsN）材料的位移损伤效应研究 学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020
作者: 雷琪琪
收藏 | 浏览/下载：32/0 | 提交时间：2020/11/19
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| 博士学位论文-类石墨烯材料的分子束外延生长和电子结构的研究 学位论文
: 中国科学院高能物理研究所, 2020
作者: 李金梅
收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2021/03/02 |
| 铟砷氮铋半导体材料、使用该材料的激光器和探测器及制备方法 专利
专利号: CN109920861A, 申请日期: 2019-06-21, 公开日期: 2019-06-21
作者: 芦鹏飞; 王凯林; 陆瑾; 张凡; 张丽
收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| 新型二维过渡金属薄膜材料的制备与研究 学位论文
中国科学院大学(中国科学院上海应用物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院上海应用物理研究所), 2019
作者: 孙浩亮
收藏 | 浏览/下载：47/0 | 提交时间：2019/12/24
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| 一种半绝缘表面等离子体波导太赫兹量子级联激光器的制作方法 专利
专利号: CN105449521B, 申请日期: 2019-05-14, 公开日期: 2019-05-14
作者: 万文坚; 曹俊诚
收藏 | 浏览/下载：23/0 | 提交时间：2019/12/26 |
| 一种半绝缘表面等离子体波导太赫兹量子级联激光器的制作方法 专利
专利号: CN105449521B, 申请日期: 2019-05-14, 公开日期: 2019-05-14
作者: 万文坚; 曹俊诚
收藏 | 浏览/下载：15/0 | 提交时间：2019/12/26 |
| 铟镓氮铋材料和使用该材料的激光器和探测器及制备方法 专利
专利号: CN109449223A, 申请日期: 2019-03-08, 公开日期: 2019-03-08
作者: 芦鹏飞; 张凡; 梁丹; 王庶民; 张丽
收藏 | 浏览/下载：2/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| 半导体微腔激光器的制备方法和半导体 专利
专利号: CN109286131A, 申请日期: 2019-01-29, 公开日期: 2019-01-29
作者: 张昭宇; 刘秀; 方铉; 周陶杰; 项国洪
收藏 | 浏览/下载：3/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| InAs/GaSb Ⅱ类超晶格台面的ICP刻蚀研究 期刊论文
红外与毫米波学报, 2019, 卷号: 38, 期号: 2, 页码: 171-174
作者: 许佳佳; 黄敏; 徐庆庆; 徐志成; 王芳芳
收藏 | 浏览/下载：24/0 | 提交时间：2019/11/13
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