| 铟砷氮铋半导体材料、使用该材料的激光器和探测器及制备方法 | |
| 芦鹏飞; 王凯林; 陆瑾; 张凡; 张丽; 王庶民 | |
| 2019-06-21 | |
| 著作权人 | 诺迪克(余姚)光电产业研究院有限公司 |
| 专利号 | CN109920861A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 铟砷氮铋半导体材料、使用该材料的激光器和探测器及制备方法 |
| 英文摘要 | 本申请公开了一种铟砷氮铋半导体材料、使用该材料的激光器和探测器及制备方法，涉及半导体光电材料制备领域。所述材料包括：衬底层、缓冲层和铟砷氮铋半导体材料。通过共掺杂方式，在InAs半导体中掺入一定浓度的Bi原子和N原子，可有效调节InAs材料的禁带宽度，实现从近红外到中红外波段的覆盖，应用于光电子器件。Bi原子的掺入可使材料更易生长并更加稳定，N原子的引入可以提高Bi的溶解度。在InAs半导体中同时掺入N原子，Bi原子可以有效调节化合物的能带结构。本申请可采用常规分子束外延、金属有机物化学气相沉积等多种方法进行生长，结构和操作工艺简单，易于控制。 |
| 公开日期 | 2019-06-21 |
| 申请日期 | 2019-03-15 |
| 状态 | 申请中 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92416]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 诺迪克(余姚)光电产业研究院有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 芦鹏飞,王凯林,陆瑾,等. 铟砷氮铋半导体材料、使用该材料的激光器和探测器及制备方法. CN109920861A. 2019-06-21. |
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