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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：上海微系统与信息技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Interfacial characteristics of fully depleted SiGe-on-insulator (SGOI) substrate fabricated by modified Ge condensation 期刊论文 SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2005, 卷号: 20, 期号: 8, 页码: L31-L35 Di, ZF; Zhang, M; Liu, WL; Luo, SH; Song, ZT; Lin, CL; Lin, Q; Chu, PK 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2012/03/24 ELECTRON-MOBILITY ENHANCEMENT  STRAINED-SI  DIFFUSION  OXIDATION  GERMANIUM  SILICON  ALLOYS   Relaxed SiGe-on-insulator fabricated by dry oxidation of sandwiched Si/SiGe/Si structure 期刊论文 MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 2005, 卷号: 124, 页码: 153-157 Di, ZF; Zhang, M; Liu, WL; Zhu, M; Lin, CL; Chu, PK 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/03/24 ELECTRON-MOBILITY ENHANCEMENT  FIELD-EFFECT TRANSISTORS  STRAINED-SI  LAYER TRANSFER  N-MOSFETS  GERMANIUM  STABILITY  SUBSTRATE  EPITAXY  ALLOYS