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半导体研究所 [121]
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内容类型:期刊论文
专题:半导体研究所
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Realization of 366 nm GaN/AlGaN single quantum well ultraviolet laser diodes with a reduction of carrier loss in the waveguide layers
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2021, 卷号: 130, 期号: 17, 页码: 173105
作者:
Yang, J.
;
Wang, B. B.
;
Zhao, D. G.
;
Liu, Z. S.
;
Liang, F.
;
Chen, P.
;
Zhang, Y. H.
;
Zhang, Z. Z.
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2022/03/24
Investigation on the corrosive effect of NH3 during InGaN/GaN multi-quantum well growth in light emitting diodes
期刊论文
Scientific Reports, 2017, 卷号: 7, 页码: 44850
作者:
J. Yang
;
D. G. Zhao
;
D. S. Jiang
;
P. Chen
;
J. J. Zhu
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2018/11/30
Bias Dependence of the Electrical Spin Injection into GaAs from Co-Fe-B=MgO Injectors with Different MgO Growth Processes
期刊论文
PHYSICAL REVIEW APPLIED, 2017, 卷号: 8, 页码: 054027
作者:
P. Barate
;
S. H. Liang
;
T. T. Zhang
;
J. Frougier
;
B. Xu
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2018/05/30
Electroluminescence property improvement by adjusting quantum wells’ position relative to p-doped region in InGaN/GaN multiple-quantum-well light emitting diodes
期刊论文
AIP Advances, 2017, 卷号: 7, 页码: 035103
作者:
P. Chen
;
D. G. Zhao
;
D. S. Jiang
;
H. Long
;
M. Li
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2018/07/11
XPS study of impurities in Si-doped AlN film
期刊论文
surface and interface analysis, 2016, 卷号: 48, 期号: 12, 页码: 1305–1309
F. Liang
;
P. Chen
;
D. G. Zhao
;
D. S. Jiang
;
Z. J. Zhao
;
Z. S. Liu
;
J. J. Zhu
;
J. Yang
;
L. C. Le
;
W. Liu
;
X.G. He
;
X. J. Li
;
X Li
;
S. T Liu
;
H. Yang
;
J. P. Liu
;
L. Q. Zhang
;
Y. T. Zhang
;
G. T. Du
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2017/03/10
The thickness design of unintentionally doped GaN interlayer matched with background doping level for InGaN-based laser diodes
期刊论文
aip advances, 2016, 卷号: 6, 页码: 035124
P. Chen
;
D. G. Zhao
;
D. S. Jiang
;
J. J. Zhu
;
Z. S. Liu
;
J. Yang
;
X. Li
;
L. C. Le
;
X. G. He
;
W. Liu
;
X. J. Li
;
F. Liang
;
B. S. Zhang
;
H. Yang
;
Y. T. Zhang
;
G. T. Du
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2017/03/10
Polarization-independent plasmonic subtractive color filtering in ultrathin Ag nanodisks with high transmission
期刊论文
applied optics, 2016, 卷号: 55, 期号: 1, 页码: 148-152
X. L. HU
;
L. B. SUN
;
BEIBEI ZENG
;
L. S. WANG
;
Z. G. YU
;
S. A. BAI
;
S. M. YANG
;
L. X. ZHAO
;
Q. LI
;
M. QIU
;
R. Z. TAI
;
H. J. FECHT
;
J. Z. JIANG
;
D. X. ZHANG
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提交时间:2017/03/16
Photoelectron spectroscopy study of AlN films grown on n-type 6H-SiC by MOCVD
期刊论文
applied physics a, 2016, 卷号: 122, 期号: 9
F. Liang
;
P. Chen
;
D. G. Zhao
;
D. S. Jiang
;
Z. J. Zhao
;
Z. S. Liu
;
J. J. Zhu
;
J. Yang
;
W. Liu
;
X. G. He
;
X. J. Li
;
X. Li
;
S. T. Liu
;
H. Yang
;
J. P. Liu
;
L. Q. Zhang
;
Y. T. Zhang
;
G. T. Du
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2017/03/10
The effectiveness of electron blocking layer in InGaN-based laser diodes with different indium content
期刊论文
physica status solidi (a), 2016, 卷号: 213, 期号: 8, 页码: 2223–2228
X. Li
;
D. G. Zhao*
;
D. S. Jiang
;
P. Chen
;
Z. S. Liu
;
J. J. Zhu
;
J. Yang
;
W. Liu
;
X. G. He
;
X. J. Li
;
F. Liang
;
L. Q. Zhang
;
J. P. Liu
;
H. Yang
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2017/03/10
Observation of negative differential resistance in GaN-based multiple-quantum-well light-emitting diodes
期刊论文
journal of vacuum science & technology b, 2016, 卷号: 34, 期号: 1, 页码: 011206
J. Yang
;
D. G. Zhao
;
D. S. Jiang
;
P. Chen
;
J. J. Zhu
;
Z. S. Liu
;
L. C. Le
;
X. J. Li
;
X. G. He
;
J. P. Liu
;
L. Q. Zhang
;
H. Yang
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提交时间:2017/03/10
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