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A novel S-scheme MoS2/CdIn2S4 flower-like heterojunctions with enhanced photocatalytic degradation and H-2 evolution activity 期刊论文
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2020, 卷号: 53, 期号: 20
作者:  Zhang, Bin;  Shi, Huanxian;  Hu, Xiaoyun;  Wang, Yishan;  Liu, Enzhou
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In-situ oxidation fabrication of 0D/2D SnO2/SnS2 novel Step-scheme heterojunctions with enhanced photoelectrochemical activity for water splitting 期刊论文
APPLIED SURFACE SCIENCE, 2020, 卷号: 501
作者:  Mu, Jianglong;  Teng, Feng;  Miao, Hui;  Wang, Yishan;  Hu, Xiaoyun
收藏  |  浏览/下载：130/0  |  提交时间：2020/01/09
半導体レーザ装置、ダブルヘテロウエハおよびその製造方法 专利
专利号: JP2728672B2, 申请日期: 1997-12-12, 公开日期: 1998-03-18
作者:  大場 康夫;  菅原 秀人
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High band-gap opto-electronic device and method for making same 专利
专利号: EP0378919B1, 申请日期: 1995-11-15, 公开日期: 1995-11-15
作者:  KUO, CHIH-PING;  FLETCHER, ROBERT M.;  OSENTOWSKI, TIMOTHY D.
收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/26
Semiconductor laser producing visible light 专利
专利号: US5394417, 申请日期: 1995-02-28, 公开日期: 1995-02-28
作者:  TAKEMI, MASAYOSHI;  HAYAFUJI, NORIO;  SUSAKI, WATARU
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/24
Bandgap tuning of semiconductor quantum well structures 专利
专利号: US5238868, 申请日期: 1993-08-24, 公开日期: 1993-08-24
作者:  ELMAN, BORIS S.;  KOTELES, EMIL S.;  MELMAN, PAUL;  ARMIENTO, CRAIG A.
收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/12/24
Method of making a high band-gap opto-electronic device 专利
专利号: US5204284, 申请日期: 1993-04-20, 公开日期: 1993-04-20
作者:  KUO, CHIH-PING;  FLETCHER, ROBERT M.;  OSENTOWSKI, TIMOTHY D.
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/26
- 专利
专利号: JP1989018590B2, 申请日期: 1989-04-06, 公开日期: 1989-04-06
作者:  HAYAKAWA TOSHIRO;  SUYAMA NAOHIRO;  YAMAMOTO SABURO
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Semiconductor laser 专利
专利号: JP1988188986A, 申请日期: 1988-08-04, 公开日期: 1988-08-04
作者:  UENO SHINSUKE
收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/01/18
Semiconductor laser having an etched mirror and a narrow stripe width, with an integrated photodetector 专利
专利号: US4470143, 申请日期: 1984-09-04, 公开日期: 1984-09-04
作者:  KITAMURA, MITSUHIRO;  KOBAYASHI, KOHROH;  SUGIMOTO, SHIGETOKI
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