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| 0.13微米SOI工艺仿真及PD SOI器件特性研究 学位论文
博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） , 2012
罗杰馨
  收藏 | 浏览/下载：94/0 | 提交时间：2013/04/24
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| 高密度相变存储器选通二极管器件关键技术研究 学位论文
博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） , 2012
张超
收藏 | 浏览/下载：34/0 | 提交时间：2013/04/24
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| 深亚微米闪存分立器件的总剂量辐射效应及加固技术研究 学位论文
博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） , 2012
刘张李
收藏 | 浏览/下载：26/0 | 提交时间：2013/04/24
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| 0.18 微米嵌入式闪存总剂量辐射效应研究 学位论文
博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） , 2012
胡志远
收藏 | 浏览/下载：20/0 | 提交时间：2013/04/24
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| 微米尺度温差测试结构的研究 期刊论文
传感器与微系统, 2012, 期号: 11, 页码: 47-50
霍建琴; 冯飞; 王文荣; 戈肖鸿; 李铁; 王跃林
收藏 | 浏览/下载：26/0 | 提交时间：2013/02/22
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| 深亚微米器件沟道长度对总剂量辐照效应的影响 期刊论文
物理学报, 2012, 期号: 5, 页码: 92-96
胡志远; 刘张李; 邵华; 张正选; 宁冰旭; 毕大炜; 陈明; 邹世昌
收藏 | 浏览/下载：44/0 | 提交时间：2013/02/22
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| 一种亚微米尺寸二维介质柱型光子晶体的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102260870A, 申请日期: 2011-11-30, 公开日期: 2011-11-30
曹远迎; 李耀耀; 张永刚; 顾溢; 王凯
收藏 | 浏览/下载：44/0 | 提交时间：2012/01/06 |
| Si基SOI结构微剂量探测器的设计及SOI材料的离子注入抗辐射改性研究 学位论文
博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） , 2011
王茹
收藏 | 浏览/下载：31/0 | 提交时间：2013/04/24
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| 一种具有亚微米间隙微机械谐振器及制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102122935A, 申请日期: 2011-07-13, 公开日期: 2011-07-13
熊斌; 吴国强; 徐德辉; 王跃林
收藏 | 浏览/下载：19/0 | 提交时间：2012/01/06 |
| 0.18μm MOSFET器件的总剂量辐照效应 期刊论文
物理学报, 2011, 期号: 11
刘张李; 胡志远; 张正选; 邵华; 宁冰旭; 毕大炜; 陈明; 邹世昌
收藏 | 浏览/下载：12/0 | 提交时间：2012/04/13
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