| 题名 | Si基SOI结构微剂量探测器的设计及SOI材料的离子注入抗辐射改性研究 |
| 作者 | 王茹 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2011-11-16 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 张正选 |
| 关键词 | SOI 微剂量实验方法 微剂量仪 离子注入改性 灵敏体积 |
| 其他题名 | Research on microdose detector design of Si base SOI structure and radhard SOI material by ion implantation |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 研究辐射粒子在微米和纳米级靶体内的能量沉积分布规律是深入探索辐射损伤效应产生机制的关键因素之一。由此微剂量学广泛应用于辐射防护、放射生物学和微电子学辐射效应等研究领域。开展先进的微剂量探测器的设计与微剂量探测方法的研究将为辐射疗癌、辐射防护和空间辐射（如航天员的辐射防护、微电子学和纳米电子学的单粒子效应）等领域的辐射效应机制探索提供重要的技术基础。半导体探测器以其体积小、重量轻、几何结构紧凑、低压设备轻巧、能量分辨率高等特点，有望取代传统微剂量仪——组织等效正比计数器(TEPC)。本论文初步探索了Si基半 |
| 语种 | 中文 |
| 学科主题 | 增补 |
| 公开日期 | 2013-04-24 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/115048]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王茹. Si基SOI结构微剂量探测器的设计及SOI材料的离子注入抗辐射改性研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2011. |
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