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| 130nm部分耗尽绝缘体上硅工艺晶体管总剂量效应及模型研究 学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2019
作者: 席善学
  收藏 | 浏览/下载：11/0 | 提交时间：2019/07/15
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| 使用纵横比俘获生长的硅上激光器结构 专利
专利号: CN106025799B, 申请日期: 2019-04-19, 公开日期: 2019-04-19
作者: 郑政玮; E·里欧班端; 李宁 ; D·K·萨达纳; 徐崑庭
收藏 | 浏览/下载：14/0 | 提交时间：2019/12/26 |
| 使用纵横比俘获生长的硅上激光器结构 专利
专利号: CN106025799B, 申请日期: 2019-04-19, 公开日期: 2019-04-19
作者: 郑政玮; E·里欧班端; 李宁; D·K·萨达纳; 徐崑庭
收藏 | 浏览/下载：11/0 | 提交时间：2019/12/26 |
| 硅基集成光收发模块芯片 专利
专利号: CN208656776U, 申请日期: 2019-03-26, 公开日期: 2019-03-26
作者: 刘露露; 刘柳; 陈伟
收藏 | 浏览/下载：12/0 | 提交时间：2019/12/24 |
| 体效应对超深亚微米SOI器件总剂量效应的影响 期刊论文
电子学报, 2019, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 1065-1069
作者: 席善学; 陆妩; 郑齐文; 崔江维; 魏莹
收藏 | 浏览/下载：33/0 | 提交时间：2019/06/21
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| 基于SOI结构的辐照传感器的辐照响应特性研究 期刊论文
核技术, 2019, 卷号: 42, 期号: 12, 页码: 47-52
作者: 孙静; 郭旗; 郑齐文; 崔江维; 何承发
收藏 | 浏览/下载：25/0 | 提交时间：2020/01/03
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| 体效应对超深亚微米SOI器件总剂量效应的影响 期刊论文
电子学报, 2019, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 1065-1069
作者: 席善学; 陆妩; 郑齐文; 崔江维; 魏莹
收藏 | 浏览/下载：40/0 | 提交时间：2020/03/19
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| 硅基光波导芯片与垂直腔面发射激光器的封装结构 专利
专利号: CN208060764U, 申请日期: 2018-11-06, 公开日期: 2018-11-06
作者: 刘露露; 阮子良; 张浩; 温雪沁; 朱运涛
收藏 | 浏览/下载：26/0 | 提交时间：2019/12/24 |
| 一种半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201410479915.5, 申请日期: 2018-09-11, 公开日期: 2016-04-13
作者: 唐兆云; 杨萌萌; 许静; 王红丽; 唐波
收藏 | 浏览/下载：38/0 | 提交时间：2019/03/22 |
| 硅基光学相控阵的大角度二维光束扫描 学位论文
北京: 中国科学院大学, 2018
作者: 李中宇
收藏 | 浏览/下载：50/0 | 提交时间：2018/05/31
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