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浏览/检索结果: 共24条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Total dose effect of Al2O3-based metal-oxide-semiconductor structures and its mechanism under gamma-ray irradiation 期刊论文 Semiconductor Science and Technology, 2018 作者:  Gao JT(高见头);  Li DL(李多力);  Li BH(李彬鸿);  Li B(李博);  Zheng ZS(郑中山) 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/03/27 Multi-Angle Analysis of 30 MeV Silicon Ion Beam Irradiation Effects on InGaN/GaN Multiple Quantum Wells Blue Light Emitting Diodes 期刊论文 IEEE Transactions on Nuclear Science, 2018 作者:  Han ZS(韩郑生);  Zheng ZS(郑中山);  Li BH(李彬鸿);  Cui Y(崔岩);  Li B(李博) 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/03/27 Constant voltage stress characterization of nFinFET transistor during total ionizing dose experiment 会议论文 作者:  Li BH(李彬鸿);  Huang Y(黄杨);  J.Wu;  Huang YB(黄云波);  Li B(李博) 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2019/05/13 Process variation dependence of total ionizing dose effects in bulk nFinFETs 会议论文 作者:  Li B(李博);  Huang YB(黄云波);  L.Yang;  Zhang QZ(张青竹);  Zheng ZS(郑中山) 收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2019/05/13 Comparison of 10 Mev Electron Beam Irradiation Effect on InGaN/GaN and AlGaN/GaN Multiple Quantum Well 会议论文 作者:  Bo Mei;  Wang L(王磊);  Qingxuan Li;  Ningyang Liu;  Ligang Song 收藏  |  浏览/下载：50/0  |  提交时间：2019/05/10 Constant voltage stress characterization of nFinFET transistor during total ionizing dose experiment 期刊论文 Microelectronics Reliability, 2018 作者:  Zhang QZ(张青竹);  Yin HX(殷华湘);  Han ZS(韩郑生);  Luo JJ(罗家俊);  Li B(李博) 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/03/27 Process variation dependence of total ionizing dose effects in bulk nFinFETs 期刊论文 Microelectronics Reliability, 2018 作者:  Zheng ZS(郑中山);  Huang YB(黄云波);  Li B(李博);  Luo JJ(罗家俊);  Han ZS(韩郑生) 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/03/28 An effective method to compensate total ionizing dose-induced degradation on double-SOI structure 期刊论文 IEEE Transactions on Nuclear Science, 2018 作者:  Zheng ZS(郑中山);  Luo JJ(罗家俊);  Li BH(李彬鸿);  Han ZS(韩郑生);  Zhao X(赵星) 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/03/27 Back gate impact on SEU Characterization of a Double SOI 4k-bit SRAM 会议论文 作者:  Gao JT(高见头);  Li BH(李彬鸿);  Huang Y(黄杨);  Li B(李博);  Zhao FZ(赵发展) 收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2019/05/09 Total Ionizing Dose Response and Annealing Behavior of Bulk nFinFETs With ON-State Bias Irradiation 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2018 作者:  Yang L(杨玲);  Zhang QZ(张青竹);  Huang YB(黄云波);  Zheng ZS(郑中山);  Li B(李博) 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/03/28