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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Polarization Coulomb field scattering in In0.18Al 0.82N/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors 期刊论文 journal of applied physics, 2012, 卷号: 112, 期号: 5, 页码: 00218979 Luan, Chongbiao; Lin, Zhaojun; Feng, Zhihong; Meng, Lingguo; Lv, Yuanjie; Cao, Zhifang; Yu, Yingxia; Wang, Zhanguo 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2013/05/07 Influence of the ratio of gate length to drain-to-source distance on the electron mobility in AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors 期刊论文 nanoscale research letters, 2012, 卷号: 7, 页码: 434 Lv YJ (Lv, Yuanjie); Lin ZJ (Lin, Zhaojun); Meng LG (Meng, Lingguo); Luan CB (Luan, Chongbiao); Cao ZF (Cao, Zhifang); Yu YX (Yu, Yingxia); Feng ZH (Feng, Zhihong); Wang ZG (Wang, Zhanguo) 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2013/04/02 Polarization Coulomb field scattering in In0.18Al0.82N/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors 期刊论文 journal of applied physics, 2012, 卷号: 112, 期号: 5, 页码: 054513 Luan CB (Luan, Chongbiao); Lin ZJ (Lin, Zhaojun); Feng ZH (Feng, Zhihong); Meng LG (Meng, Lingguo); Lv YJ (Lv, Yuanjie); Cao ZF (Cao, Zhifang); Yu YX (Yu, Yingxia); Wang ZG (Wang, Zhanguo) 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2013/04/02 Wide-Band Polarization-Independent Semiconductor Optical Amplifier Gate with Tensile-Strained Quasi-Bulk InGaAs 期刊论文 半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 8, 页码: 898-902 作者:  Wang Wei;  Wang Wei 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2010/11/23 Graded tensile-strained bulk InGaAs/InP superluminescent diode with very wide emission spectrum 期刊论文 chinese optics letters, 2004, 卷号: 2, 期号: 6, 页码: 359-361 作者:  Wang Wei;  Wang Wei 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/23 A 1.3μm Low-Threshold Edge-Emitting Laser with AlInAs-Oxide Confinement Layers 期刊论文 半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 6, 页码: 620-625 作者:  Wang Wei;  Wang Wei 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/23