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半导体研究所 [31]
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期刊论文 [28]
会议论文 [3]
发表日期
2012 [1]
2011 [1]
2009 [1]
2008 [1]
2006 [1]
2000 [5]
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学科主题
半导体材料 [31]
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学科主题:半导体材料
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New observations for electron beam-induced instability of single-wall carbon nanotube
期刊论文
acta physica sinica, 2012, 卷号: 61, 期号: 3, 页码: 36401
Li, LX
;
Su, JB
;
Wu, Y
;
Zhu, XF
;
Wang, ZG
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2013/03/17
Defect properties of as-grown and electron-irradiated Te-doped GaSb studied by positron annihilation
期刊论文
semiconductor science and technology, 2011, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: article no.75016
Li H
;
Zhou K
;
Pang JB
;
Shao YD
;
Wang Z
;
Zhao YW
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浏览/下载:52/10
  |  
提交时间:2011/07/05
UNDOPED GALLIUM ANTIMONIDE
SELF-DIFFUSION
NATIVE DEFECTS
N-TYPE
CRYSTALS
CATHODOLUMINESCENCE
PHOTOLUMINESCENCE
SEMICONDUCTORS
SPECTROSCOPY
LUMINESCENCE
Proton irradiation-induced defects in undoped GaSb studied by positron lifetime spectroscopy and photoluminescence
期刊论文
journal of optoelectronics and advanced materials, 2009, 卷号: 11, 期号: 8, 页码: 1122-1126
Li H
;
Wang Z
;
Zhou K
;
Pang JB
;
Ke JY
;
Zhao YW
收藏
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浏览/下载:58/1
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提交时间:2010/03/08
GaSb
Proton irradiation
Defects
Positron lifetime
Photoluminescence
Electronic structures of wurtzite ZnO, BeO, MgO and p-type doping in Zn1-xYxO (Y = Mg, Be)
期刊论文
computational materials science, 2008, 卷号: 44, 期号: 1, 页码: 72-78
Xu, Q
;
Zhang, XW
;
Fan, WJ
;
Li, SS
;
Xia, JB
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浏览/下载:45/0
  |  
提交时间:2010/03/08
Density functional theory
Electronic structure
Alloy
Doping
Electronic structures of wurtzite ZnO and ZnO/MgZnO quantum well
期刊论文
journal of crystal growth, 2006, 卷号: 287, 期号: 1, 页码: 28-33
Fan WJ
;
Abiyasa AP
;
Tan ST
;
Yu SF
;
Sun XW
;
Xia JB
;
Yeo YC
;
Li MF
;
Chong TC
收藏
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浏览/下载:99/0
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提交时间:2010/04/11
computer simulation
low dimensional structures
zinc compounds
semiconducting II-VI materials
OPTICAL GAIN SPECTRA
BAND-STRUCTURES
ROOM-TEMPERATURE
LASERS
The content calculation of hexagonal phase inclusions in cubic GaN films on GaAs(001) substrates grown by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
thin solid films, 2000, 卷号: 368, 期号: 2, 页码: 237-240
Sun XL
;
Wang YY
;
Yang H
;
Li JB
;
Zheng LX
;
Xu DP
;
Wang ZG
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浏览/下载:47/0
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提交时间:2010/08/12
metalorganic chemical vapor deposition
cubic GaN
hexagonal phase content
4-circle X-ray double crystal diffraction
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GALLIUM NITRIDE
THIN-FILMS
SILICON
GAAS
Initial stages of GaN/GaAs (100) growth by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
journal of electronic materials, 2000, 卷号: 29, 期号: 2, 页码: 177-182
作者:
Zhao DG
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浏览/下载:42/0
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提交时间:2010/08/12
cubic GaN
hexagonal GaN
buffer layer
AFM
RHEED
CUBIC GAN
FILMS
GAAS
DEPENDENCE
NITRIDE
LAYERS
The content calculation of hexagonal phase inclusions in cubic GaN films on GaAs(001) substrates grown by metalorganic chemical vapor deposition
会议论文
1st asian conference on chemical vapour deposition, shanghai, peoples r china, may 10-13, 1999
Sun XL
;
Wang YY
;
Yang H
;
Li JB
;
Zheng LX
;
Xu DP
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2010/11/15
metalorganic chemical vapor deposition
cubic GaN
hexagonal phase content
4-circle X-ray double crystal diffraction
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GALLIUM NITRIDE
THIN-FILMS
SILICON
GAAS
Influences of initial buffer layer deposition on electrical and optical properties in cubic GaN grown on GaAs(100) by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
thin solid films, 2000, 卷号: 368, 期号: 2, 页码: 279-282
作者:
Zhao DG
收藏
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浏览/下载:47/0
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提交时间:2010/08/12
cubic GaN
buffer layer
atomic force microscopy
reflection high-energy electron diffraction
MOVPE
Temperature and excitation power dependence of the optical properties of InAs self-assembled quantum dots grown between two Al0.5Ga0.5As confining layers
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 210, 期号: 4, 页码: 451-457
作者:
Ye XL
;
Xu B
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浏览/下载:51/0
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提交时间:2010/08/12
InAs quantum dots
molecular beam epitaxy
photoluminescence
LINE-SHAPE
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