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科研机构
半导体研究所 [8]
内容类型
期刊论文 [8]
发表日期
2012 [1]
2006 [1]
2001 [2]
2000 [1]
1998 [2]
1996 [1]
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学科主题
半导体材料 [8]
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学科主题：半导体材料
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Direct growth of size-controlled gold nanoparticles on reduced graphene oxide film from bulk gold by tuning electric field: Effective methodology and substrate for surface enhanced Raman scattering study
期刊论文
journal of materials chemistry, 2012, 卷号: 22, 期号: 24, 页码: 11994-12000
Hu, Ying
;
Lu, Luhua
;
Liu, Jinghai
;
Chen, Wei
收藏
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浏览/下载：10/0
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提交时间：2013/05/13
Al2O3 : Cr3+ nanotubes synthesized via homogenization precipitation followed by heat treatment
期刊论文
journal of physical chemistry b, 2006, 卷号: 110, 期号: 32, 页码: 15749-15754
Cheng BC (Cheng Baochang)
;
Qu SC (Qu Shengchun)
;
Zhou HY (Zhou Huiying)
;
Wang ZG (Wang Zhanguo)
收藏
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浏览/下载：32/0
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提交时间：2010/04/11
GALLIUM NITRIDE NANOTUBES
SINGLE-CRYSTALLINE
ALUMINA NANOTUBES
ALPHA-AL2O3 NANOWIRES
OXIDE NANOTUBES
ROUTE
FILMS
NANOSTRUCTURES
PHOTOLUMINESCENCE
TEMPERATURE
Growing process of CdS nanoclusters in zeolite Y studied by positron annihilation
期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 224, 期号: 3-4, 页码: 274-279
作者:
Liu SM
收藏
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浏览/下载：95/3
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提交时间：2010/08/12
growth models
nanostructures
surfaces
semiconducting II-VI materials
positron annihilation
SEMICONDUCTOR COLLOIDS
PHOTOCHEMISTRY
SUPERCLUSTERS
CLUSTERS
ELECTRON
Growth and characterization of GaInNAs/GaAs by plasma-assisted molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 516-520
Pan Z
;
Li LH
;
Zhang W
;
Wang XU
;
Lin YW
;
Wu RH
收藏
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浏览/下载：82/10
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提交时间：2010/08/12
adsorption
characterization
radiation
molecular beam epitaxy
nitrides
SURFACE-EMITTING LASER
QUANTUM-WELLS
OPERATION
RANGE
A surface kinetics model for the growth of Si1-xGex by UHV/CVD using SiH4/CeH4
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 218, 期号: 2-4, 页码: 245-249
Yu Z
;
Li DZ
;
Cheng BW
;
Huang CJ
;
Lei ZL
;
Yu JZ
;
Wang QM
;
Liang JW
收藏
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浏览/下载：45/0
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提交时间：2010/08/12
SiGe/Si
epitaxial growth
surface reaction kinetics
UHV/CVD system
CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION
ATOMIC-HYDROGEN
ADSORPTION
SI(100)
SI2H6
SIH4
MECHANISMS
DESORPTION
PHASE
FILMS
Low-temperature growth properties of Si1-xGex by disilane and solid-Ge molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 1998, 卷号: 193, 期号: 4, 页码: 535-540
Liu JP
;
Kong MY
;
Li JP
;
Liu XF
;
Huang DD
;
Sun DZ
收藏
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浏览/下载：33/0
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提交时间：2010/08/12
Si1-xGex alloys
low temperature epitaxy
desorption
adsorption
surface morphology
growth kinetics
HYDROGEN DESORPTION
SI(100)
SI
SURFACTANT
GERMANIUM
MECHANISM
KINETICS
ALLOYS
SI2H6
GAS-SOURCE MBE
Structure, fluorescence and stability of CdS nanoparticles prepared in air
期刊论文
journal of materials science & technology, 1998, 卷号: 14, 期号: 5, 页码: 389-394
Chen W
;
Lin ZJ
;
Wang ZG
;
Xu Y
;
Lin LY
收藏
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浏览/下载：38/0
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提交时间：2010/08/12
SEMICONDUCTOR MICROCRYSTALS
QUANTUM CONFINEMENT
OPTICAL-PROPERTIES
NANOCRYSTALS
PHOTOCHEMISTRY
CLUSTERS
CRYSTALLITES
PARTICLES
EXCITONS
COLLOIDS
Photoluminescence studies on the interaction of near-surface GaAs/AlxGa1-xAs quantum wells with chemical adsorbates
期刊论文
journal of photochemistry and photobiology a-chemistry, 1996, 卷号: 101, 期号: 0, 页码: 113-117
Liu Y
;
Xiao XR
;
Li XP
;
Xu ZY
;
Yuan ZL
;
Zeng YP
;
Yang CH
;
Sun DZ
收藏
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浏览/下载：13/0
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提交时间：2010/11/17
chemical adsorption
multiquantum well
photoluminescence
POROUS SILICON
GAAS
HETEROSTRUCTURES
PASSIVATION
ABSORPTION
ENERGY
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