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科研机构
半导体研究所 [4]
内容类型
会议论文 [2]
期刊论文 [2]
发表日期
2010 [1]
2007 [1]
2004 [1]
2002 [1]
学科主题
半导体材料 [4]
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学科主题:半导体材料
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A broadband external cavity tunable InAs/GaAs quantum dot laser by utilizing only the ground state emission
期刊论文
chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 1, 页码: art. no. 018104
作者:
Jin P
收藏
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浏览/下载:99/17
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提交时间:2010/04/04
quantum-dot
tunable laser
external cavity
broadband tuning
NM TUNING RANGE
SUPERLUMINESCENT DIODES
LIGHT-SOURCE
WELL LASER
SPECTROSCOPY
SPECTRUM
Homoepitaxial growth of 4H-SiC multi-epilayers and its application to UV detection
会议论文
6th european conference on silicon carbide and related materials, newcastle upon tyne, england, sep, 2006
Liu, XF (Liu, X. F.)
;
Sun, GS (Sun, G. S.)
;
Zhao, YM (Zhao, Y. M.)
;
Ning, J (Ning, J.)
;
Li, JY (Li, J. Y.)
;
Wang, L (Wang, L.)
;
Zhao, WS (Zhao, W. S.)
;
Luo, MC (Luo, M. C.)
;
Li, JM (Li, J. M.)
收藏
  |  
浏览/下载:103/26
  |  
提交时间:2010/03/29
homoepitaxy
4H-SiC
multi-epilayer
UV detection
p(+)-pi-n(-)
ULTRAVIOLET PHOTODETECTOR
EPITAXIAL-GROWTH
Controlled growth of III-V compound semiconductor nano-structures and their application in quantum-devices
会议论文
13th international conference on semiconducting and insulating materials (simc xiii), beijing, peoples r china, sep 20-25, 2004
作者:
Xu B
;
Ye XL
;
Jin P
收藏
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浏览/下载:92/22
  |  
提交时间:2010/03/29
DOTS
A novel application to quantum dot materials to the active region of superluminescent diodes
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 243, 期号: 1, 页码: 25-29
作者:
Li CM
;
Xu B
;
Jin P
;
Ye XL
收藏
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浏览/下载:30/0
  |  
提交时间:2010/08/12
atomic force microscopy
low dimensional structures
quantum dots
strain
molecular beam epitaxy
superluminescent diodes
1.3 MU-M
HIGH-POWER
INTEGRATED ABSORBER
INAS ISLANDS
SPECTRUM
WINDOW
LAYER
SIZE
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