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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 发表日期：2000     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Connection system for optical redundancy 专利 专利号: US6049641, 申请日期: 2000-04-11, 公开日期: 2000-04-11 作者:  DEACON, DAVID A. G.;  TOMPANE, RICHARD B.;  BISCHEL, WILLIAM K.;  KOWALCZYK, TONY C. 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/24 Optical switch 专利 专利号: US6014478, 申请日期: 2000-01-11, 公开日期: 2000-01-11 作者:  SPAETH, WERNER 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/24 MBE growth and X-ray study of high-quality cubic-GaN on GaAs(001) 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2000, 卷号: 208, 期号: 1-4, 页码: 786 Li, ZQ; Chen, H; Liu, HF; Li, JH; Wan, L; Liu, S; Huang, Q; Zhou, JM 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2013/09/18 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  VAPOR-PHASE EPITAXY  GALLIUM NITRIDE  STIMULATED-EMISSION  THIN-FILMS  001 GAAS  SILICON  MICROSTRUCTURE  SAPPHIRE   The content calculation of hexagonal phase inclusions in cubic GaN films on GaAs(001) substrates grown by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 thin solid films, 2000, 卷号: 368, 期号: 2, 页码: 237-240 Sun XL; Wang YY; Yang H; Li JB; Zheng LX; Xu DP; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2010/08/12 metalorganic chemical vapor deposition  cubic GaN  hexagonal phase content  4-circle X-ray double crystal diffraction  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GALLIUM NITRIDE  THIN-FILMS  SILICON  GAAS   The content calculation of hexagonal phase inclusions in cubic GaN films on GaAs(001) substrates grown by metalorganic chemical vapor deposition 会议论文 1st asian conference on chemical vapour deposition, shanghai, peoples r china, may 10-13, 1999 Sun XL; Wang YY; Yang H; Li JB; Zheng LX; Xu DP; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/15 metalorganic chemical vapor deposition  cubic GaN  hexagonal phase content  4-circle X-ray double crystal diffraction  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GALLIUM NITRIDE  THIN-FILMS  SILICON  GAAS   The growth of Si/SiGe/Si structures for heterojunction bipolar transistor by gas source molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 457-460 Gao F; Huang DD; Li JP; Lin YX; Kong MY; Li JM; Zeng YP; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：89/0  |  提交时间：2010/08/12 GSMBE  SiGe alloy  doping  SIMS  HBT  current gain  SI