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科研机构
半导体研究所 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
1998 [3]
学科主题
半导体材料 [3]
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发表日期:1998
学科主题:半导体材料
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Identification of induced reaction during XPS depth profile measurements of CeO2/Si films grown by ion beam epitaxy
期刊论文
vacuum, 1998, 卷号: 49, 期号: 2, 页码: 133-137
Wu Z
;
Huang D
;
Yang X
;
Wang J
;
Qin F
;
Zhang J
;
Yang Z
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2010/08/12
SPECTROSCOPY
ENERGY
A study of the interface of CeO2/Si heterostructure grown by ion beam deposition
期刊论文
vacuum, 1998, 卷号: 51, 期号: 3, 页码: 397-401
Wu ZL
;
Huang DD
;
Yang XZ
收藏
  |  
浏览/下载:38/0
  |  
提交时间:2010/08/12
X-RAY PHOTOELECTRON
EPITAXIAL-GROWTH
SILICON
SPECTROSCOPY
SURFACES
SI(111)
OXIDES
LAYERS
SI
Mechanism of induced reaction during XPS depth profile measurements of CeO2/Si films grown by ion beam epitaxy
期刊论文
vacuum, 1998, 卷号: 49, 期号: 2, 页码: 139-143
Yang X
;
Wu Z
;
Zhao J
;
Wang H
;
Huang D
;
Qin F
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提交时间:2010/08/12
SPECTROSCOPY
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