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Near infrared monomode light source and tunable optical amplifier 专利
专利号: EP0187058B1, 申请日期: 1989-12-20, 公开日期: 1989-12-20
作者:  POCHOLLE, JEAN-PAUL;  RAFFY, JEAN;  PAPUCHON, MICHEL
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Semiconductor laser device 专利
专利号: JP1989220491A, 申请日期: 1989-09-04, 公开日期: 1989-09-04
作者:  WATANABE NOBUTAKA
收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2020/01/13
Semiconductor laser 专利
专利号: JP1989205494A, 申请日期: 1989-08-17, 公开日期: 1989-08-17
作者:  TOINUSU FUAN DONGEN
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/13
ALLOY RANDOM EFFECT ON THE CHARACTERISTICS OF DX CENTER 期刊论文
1989
Kang, J. Y.; Huang, Q. S.; 康俊勇
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2013/12/12
STUDY ON THE EFFECT OF HIGH-TEMPERATURE AIR TREATMENT ON PARTICULATE CDS 期刊论文
APPLIED SURFACE SCIENCE, 1989, 卷号: 37, 期号: 3, 页码: 259-271
作者:  CHEN, ZS;  ZHANG, HQ;  JIN, ZS
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新型萃取剂烷基亚氨基二次甲基膦酸的合成及对金萃取性能的研究 学位论文
硕士: 中国科学院研究生院, 1989
于松玲
收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2014/07/03
蓝色氧化钨氢还原机理及钨粉粒度控制研究 学位论文
硕士: 中国科学院研究生院, 1989
牛玉萍
收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2014/07/03
渣油裂化过程中催化剂上沉积重金属形态及其脱除方法的研究 学位论文
硕士: 中国科学院研究生院, 1989
张霞
收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2014/07/03
Semiconductor laser 专利
专利号: JP1989166588A, 申请日期: 1989-06-30, 公开日期: 1989-06-30
作者:  KAJIMURA TAKASHI;  KANEHISA OSAMU;  SAITO KATSUTOSHI
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横断山地区温度的分布与变化规律 专著章节/文集论文
出自: 横断山研究文集, 成都, 成都:四川科学技术出版社, 四川科学技术出版社, 1989, 页码: 66-74
作者:  文传甲
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