×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
厦门大学 [6]
大连理工大学 [3]
山东大学 [3]
武汉大学 [3]
清华大学 [2]
半导体研究所 [2]
更多...
内容类型
期刊论文 [17]
学位论文 [6]
会议论文 [2]
发表日期
2019 [2]
2018 [2]
2017 [2]
2016 [2]
2015 [1]
2014 [3]
更多...
学科主题
712.1 Semi... [1]
光电子学 [1]
半导体材料 [1]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共25条,第1-10条
帮助
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Characterization of periodicity fluctuations in ingan/gan mqws by the kinematical simulation of x-ray diffraction
期刊论文
Applied physics express, 2019, 卷号: 12, 期号: 4
作者:
Li,Yangfeng
;
Die,Junhui
;
Yan,Shen
;
Deng,Zhen
;
Ma,Ziguang
收藏
  |  
浏览/下载:107/0
  |  
提交时间:2019/05/09
Xrd
Mqws
Interface roughness
Strain modulated nanostructure patterned AlGaN-based deep ultraviolet multiple-quantum-wells for polarization control and light extraction efficiency enhancement
期刊论文
NANOTECHNOLOGY, 2019, 卷号: 30, 期号: 43
作者:
Xu, Houqiang
;
Long, Hanling
;
Jiang, Jie'an
;
Sheikhi, Moheb
;
Li, Liang
收藏
  |  
浏览/下载:50/0
  |  
提交时间:2019/12/18
III-NITRIDE BLUE
EMITTING-DIODES
OPTICAL-PROPERTIES
ALN
SURFACE
BUFFER
MQWS
LEDS
GAN
Defect analysis of the LED structure deposited on the sapphire substrate
期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2018, 卷号: 488, 页码: 1-7
作者:
Nie, Qichu
;
Jiang, Zhimin
;
Gan, Zhiyin
;
Liu, Sheng
;
Yan, Han
收藏
  |  
浏览/下载:2/0
  |  
提交时间:2019/12/04
Sapphire substrate
The LED layer
Dislocation
Defects
MQWs
Defect analysis of the LED structure deposited on the sapphire substrate
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2018, 卷号: 488
作者:
Nie, Qichu
;
Jiang, Zhimin
;
Gan, Zhiyin
;
Liu, Sheng
;
Yan, Han
收藏
  |  
浏览/下载:2/0
  |  
提交时间:2019/12/05
Sapphire substrate
The LED layer
Dislocation
Defects
MQWs
Highly efficient green and blue InGaN/GaN light-emitting diodes (LEDs)
学位论文
2017
作者:
哈尼
收藏
  |  
浏览/下载:11/0
  |  
提交时间:2019/12/05
InGaN/GaN MQWs
V-pits
IQE
carrier concentration
radiative recombination
Fabrication and properties of self-standing GaN-based film with a strong phase-separated InGaN/GaN layer in neutral electrolyte
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2017, 卷号: 722, 页码: 767-771
作者:
Gao, Qingxue
;
Xiao, Hongdi
;
Cao, Dezhong
;
Yang, Xiaokun
;
Liu, Jiandiang
收藏
  |  
浏览/下载:8/0
  |  
提交时间:2019/12/12
Self-standing GaN-based thin films
Electrochemical etching
InGaN/GaN
MQWs
Neutral electrolyte
InGaN/GaN多量子阱垂直结构太阳能电池研究
学位论文
2016, 2015
余健
收藏
  |  
浏览/下载:5/0
  |  
提交时间:2017/06/20
RCE
量子效率
MQWs
垂直结构
RCE
Quantum efficiency
MQWs
Vertical structure
Enhanced resonant Raman scattering and optical emission of ZnO/ZnMgO multiple quantum wells
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2016, 卷号: 680, 页码: 232-236
作者:
Zhang, Q. Y.
;
Ashfaq, J. M.
;
Hu, B. C.
;
Wang, J. Y.
;
Zhou, N.
收藏
  |  
浏览/下载:2/0
  |  
提交时间:2019/12/09
ZnO/ZnMgO
MQWs
Quantum-confinement effect
Resonant Raman scattering
Enhanced photoluminescence of Co2+ ions in ZnCoO/ZnMgO multiple quantum wells and the fluorescence energy transfer mechanism
期刊论文
JOURNAL OF LUMINESCENCE, 2015, 卷号: 158, 页码: 211-214
作者:
Ashfaq, J. M.
;
Hu, B. C.
;
Zhou, N.
;
Li, X. L.
;
Ma, C. Y.
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2019/12/09
ZnCoO/ZnMgO MQWs
PL
PL quenching
FRET
InGaN/GaN多量子阱太阳电池的研制及特性研究
期刊论文
2014
王宇
;
张江勇
;
余健
;
应磊莹
;
张保平
收藏
  |  
浏览/下载:2/0
  |  
提交时间:2016/05/17
InGaN/GaN多量子阱
极化效应
拐点
太阳电池
InGaN/GaN MQWs
polarization effects
turning point
solar cell
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace