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题名	InGaN/GaN多量子阱垂直结构太阳能电池研究; Study of vertical structure InGaN/GaN MQWs solar cells
作者	余健
答辩日期	2016-03-22 ; 2015-07-21
导师	张保平
关键词	RCE 量子效率 MQWs 垂直结构 RCE Quantum efficiency MQWs Vertical structure
英文摘要	近年来，以氮化镓（GaN）、氮化铝（AlN）和氮化铟（InN）为代表的第三代半导成为国际研究热点。它们具有吸收系数高、迁移率高、抗辐射能力强等特性，是很好的光伏材料。合金材料InGaN的带隙可调，其光谱响应区域可覆盖大部分太阳光光谱，是高效率太阳能电池的理想材料。垂直结构的InGaN太阳能电池具有电流分布均匀且可通过生长底部反射镜的方法减少光透过损失的特长受到极大关注。在本文研究中，我们对垂直结构InGaN/GaN多量子阱太阳能电池的制作、性能测试和理论模拟进行了详细的研究。具体内容如下： （1）利用磁控溅射设备制备了低电阻率、高透过率的ITO薄膜作为InGaN材料太阳能电池的p型电极。具体...; As the third generation semiconductor material, GaN, AlN and InN have become a hot research field internationally. They have many advantages such as high absorption coefficient, high carrier mobility, high saturation velocity, and superior radiation resistance, which make them the good PV material. The InGaN alloy has tunable bandgap, which make it the ideal material for realizing full spectrum so...; 学位：理学硕士; 院系专业：物理与机电工程学院_光伏工程; 学号：19820121152755
语种	zh_CN
出处	http://210.34.4.13:8080/lunwen/detail.asp?serial=52414
内容类型	学位论文
源URL	[http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/134135]
专题	物理技术－学位论文
推荐引用方式 GB/T 7714	余健. InGaN/GaN多量子阱垂直结构太阳能电池研究, Study of vertical structure InGaN/GaN MQWs solar cells[D]. 2016, 2015.

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