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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Molecular beam epitaxy of gasb on gaas substrates with alsb/gasb compound buffer layers 期刊论文 Thin solid films, 2010, 卷号: 519, 期号: 1, 页码: 228-230 作者:  Hao, Ruiting;  Deng, Shukang;  Shen, Lanxian;  Yang, Peizhi;  Tu, Jielei 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12 Gallium arsenide  Gallium antimonide  Gallium antimonide/aluminum antimonide  Superlattices  Molecular beam epitaxy   Molecular beam epitaxy of GaSb on GaAs substrates with AlSb/GaSb compound buffer layers 期刊论文 thin solid films, 2010, 卷号: 519, 期号: 1, 页码: 228-230 Hao RT (Hao Ruiting); Deng SK (Deng Shukang); Shen LX (Shen Lanxian); Yang PZ (Yang Peizhi); Tu JL (Tu Jielei); Liao H (Liao Hua); Xu YQ (Xu Yingqiang); Niu ZC (Niu Zhichuan) 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2010/12/28 Gallium Arsenide  Gallium antimonide  Gallium antimonide/Aluminum antimonide  Superlattices  Molecular Beam Epitaxy  VAPOR-PHASE EPITAXY  SURFACE-MORPHOLOGY  GROWTH  SUPERLATTICES  TEMPERATURE  RELAXATION  DETECTORS  GAAS(001)  MOCVD  FILMS