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Influence of polarization Coulomb field scattering on high-temperature electron mobility in AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors 期刊论文
SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2018, 卷号: 120, 页码: 389-394
作者:  Liu, Yan;  Lin, Zhaojun;  Cui, Peng;  Fu, Chen;  Lv, Yuanjie
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Parasitic source resistance at different temperatures for AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors 期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2017, 卷号: 26, 期号: 9
作者:  Liu, Yan;  Lin, Zhao-Jun;  Lv, Yuan-Jie;  Cui, Peng;  Fu, Chen
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Determination of the strain distribution for the Si3N4 passivated AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors 期刊论文
SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2017, 卷号: 111, 页码: 806-815
作者:  Fu, Chen;  Lin, Zhaojun;  Liu, Yan;  Cui, Peng;  Lv, Yuanjie
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Effects of Floating Gate Structures on the Two-Dimensional Electron Gas Density and Electron Mobility in AlGaN/AlN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors 期刊论文
JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY, 2017, 卷号: 71, 期号: 12, 页码: 963-967
作者:  Zhao, Jingtao;  Zhao, Zhenguo;  Chen, Zidong;  Lin, Zhaojun;  Xu, Fukai
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宽禁带半导体材料光学性质的研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
刘雅丽
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The role of polarization coulomb field scattering in the electron mobility of AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors 期刊论文
JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY, 2016, 卷号: 68, 期号: 7, 页码: 883-888
作者:  Liu, Yan;  Lin, Zhaojun;  Zhao, Jingtao;  Yang, Ming;  Shi, Wenjing
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Effect of polarization Coulomb field scattering on low temperature electron mobility in strained AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors 期刊论文
MODERN PHYSICS LETTERS B, 2016, 卷号: 30, 期号: 35
作者:  Liu, Yan;  Lin, Zhao-Jun;  Yang, Ming;  Luan, Chong-Biao;  Wang, Yu-Tang
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Influence of the AlGaN barrier thickness on polarization Coulomb field scattering in an AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistor 期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2015, 卷号: 24, 期号: 8
作者:  Lv Yuan-Jie;  Feng Zhi-Hong;  Gu Guo-Dong;  Yin Jia-Yun;  Fang Yu-Long
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Influence of sapphire substrate thickness on the characteristics of AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors 期刊论文
SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2015, 卷号: 85, 页码: 43-49
作者:  Yang, Ming;  Lin, Zhaojun;  Zhao, Jingtao;  Wang, Yutang;  Li, Zhiyuan
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A method to determine the strain of the AlGaN barrier layer under the gate in AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors 期刊论文
SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2015, 卷号: 79, 页码: 21-28
作者:  Zhao, Jingtao;  Lin, Zhaojun;  Luan, Chongbiao;  Chen, Quanyou;  Yang, Ming
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