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| 面向16/14nm节点高性能P-FinFET锗硅源漏集成工艺与器件特性研究 学位论文 : 中国科学院大学, 2019 作者: 秦长亮 收藏  |  浏览/下载:28/0  |  提交时间:2019/09/05 |
| 半导体器件制造方法 专利 专利号: CN201210497474.2, 申请日期: 2018-11-06, 公开日期: 2014-06-11 作者: 秦长亮; 王桂磊; 洪培真; 尹海洲; 殷华湘 收藏  |  浏览/下载:25/0  |  提交时间:2019/03/26 |
| 半导体器件制造方法 专利 专利号: CN201310269697.8, 申请日期: 2018-11-06, 公开日期: 2014-12-31 作者: 秦长亮; 徐强; 洪培真; 殷华湘; 尹海洲 收藏  |  浏览/下载:28/0  |  提交时间:2019/03/26 |
| 半导体器件制造方法 专利 专利号: CN201310309151.0, 申请日期: 2018-09-18, 公开日期: 2015-02-04 作者: 秦长亮; 尹海洲; 唐兆云; 李俊峰; 赵超 收藏  |  浏览/下载:21/0  |  提交时间:2019/03/22 |
| 鳍式场效应晶体管及其源漏区的制造方法 专利 专利号: CN201410681974.0, 申请日期: 2018-09-11, 公开日期: 2016-06-22 作者: 秦长亮; 殷华湘; 李俊峰; 赵超 收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2019/03/22 |
| 鳍上外延沟道、鳍式场效应晶体管的制造方法 专利 专利号: CN201410681972.1, 申请日期: 2018-09-11, 公开日期: 2016-06-22 作者: 秦长亮; 殷华湘; 李俊峰; 赵超 收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2019/03/22 |
| 堆叠纳米线MOS晶体管制作方法 专利 专利号: CN201210392511.3, 申请日期: 2018-07-31, 公开日期: 2014-04-16 作者: 殷华湘; 秦长亮; 付作振; 马小龙; 陈大鹏 收藏  |  浏览/下载:20/0  |  提交时间:2019/03/21 |
| 半导体器件制造方法 专利 专利号: CN201410454224.X, 申请日期: 2018-07-31, 公开日期: 2016-04-06 作者: 殷华湘; 秦长亮; 马小龙; 王桂磊; 朱慧珑 收藏  |  浏览/下载:15/0  |  提交时间:2019/03/21 |
| 堆叠纳米线制造方法 专利 专利号: CN201310007063.5, 申请日期: 2018-07-27, 公开日期: 2014-07-09 作者: 殷华湘; 马小龙; 秦长亮 收藏  |  浏览/下载:12/0  |  提交时间:2019/03/21 |
| 鳍式场效应晶体管及其制造方法 专利 专利号: CN201410525045.0, 申请日期: 2018-07-13, 公开日期: 2016-05-11 作者: 殷华湘; 秦长亮; 马小龙; 王桂磊; 朱慧珑 收藏  |  浏览/下载:13/0  |  提交时间:2019/03/21 |