鳍上外延沟道、鳍式场效应晶体管的制造方法

	鳍上外延沟道、鳍式场效应晶体管的制造方法
	秦长亮; 殷华湘; 李俊峰; 赵超
	2018-09-11
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201410681972.1
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明公开了一种鳍式场效应晶体管鳍的制造方法，包括：提供衬底，衬底中形成有相互隔离的鳍；进行鳍外延前的前烘，以去除鳍上的自然氧化层，并在前烘的腔室中对鳍进行回流；在鳍上生长外延层。本发明中，回流后使得鳍的高度降低，沟道区原有的掺杂残留会下移至鳍的下部，重新生长的外延层作为部分或新的沟道，具有更好的器件特性。
公开日期	2016-06-22
申请日期	2014-11-24
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.107/handle/172511/18837]
专题	微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	秦长亮,殷华湘,李俊峰,等. 鳍上外延沟道、鳍式场效应晶体管的制造方法. CN201410681972.1. 2018-09-11.