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A gate-tunable artificial synapse based on vertically assembled van der Waals ferroelectric heterojunction
期刊论文
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE & TECHNOLOGY, 2022, 卷号: 128, 页码: 239-244
作者:
Wang, Yaning
;
Li, Wanying
;
Guo, Yimeng
;
Huang, Xin
;
Luo, Zhaoping
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浏览/下载:37/0
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提交时间:2022/07/14
van der Waals heterostructures
Ferroelectrics
Memristor
Artificial synapse
Neuromorphic computing
Effect of Package on Luminescence Characteristics of High-Power VCSEL with Narrow Pulse
期刊论文
Guangxue Xuebao/Acta Optica Sinica, 2020, 卷号: 40, 期号: 8
作者:
Y. Yan,Z. Chen,J. Qiu,K. Liu and J. Zhang
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2021/07/06
A vertical silicon-graphene-germanium transistor
期刊论文
NATURE COMMUNICATIONS, 2019, 卷号: 10, 页码: 7
作者:
Liu, Chi
;
Ma, Wei
;
Chen, Maolin
;
Ren, Wencai
;
Sun, Dongming
收藏
  |  
浏览/下载:11/0
  |  
提交时间:2021/02/02
A vertical silicon-graphene-germanium transistor
期刊论文
NATURE COMMUNICATIONS, 2019, 卷号: 10, 页码: 7
作者:
Liu, Chi
;
Ma, Wei
;
Chen, Maolin
;
Ren, Wencai
;
Sun, Dongming
收藏
  |  
浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2021/02/02
Gallium Nitride Normally-Off Vertical Field-Effect Transistor Featuring an Additional Back Current Blocking Layer Structure
期刊论文
ELECTRONICS, 2019, 卷号: 8
作者:
Huang, Huolin
;
Li, Feiyu
;
Sun, Zhonghao
;
Sun, Nan
;
Zhang, Feng
收藏
  |  
浏览/下载:26/0
  |  
提交时间:2019/12/02
vertical field-effect transistor (VFET)
back current blocking layer (BCBL)
gallium nitride (GaN)
normally off power devices
High Performance Vertical Resonant Photo-Effect-Transistor with an All-Around OLED-Gate for Ultra-Electromagnetic Stability
期刊论文
ACS NANO, 2019, 卷号: 13, 页码: 8425-8432
作者:
Li, Qikun
;
Bi, Sheng
;
Asare-Yeboah, Kyeiwaa
;
Na, Jin
;
Liu, Yun
收藏
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浏览/下载:63/0
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提交时间:2019/12/02
photo-effect-transistor
OLED gate
nanowire channel
resonance
anti-electromagnetic interference
Maximizing the Current Output in Self-Aligned Graphene–InAs–Metal Vertical Transistors
期刊论文
ACS Nano, 2019, 卷号: Vol.13 No.1, 页码: 847-854
作者:
Yuan Liu
;
Jian Guo
;
Enbo Zhu
;
Peiqi Wang
;
Vincent Gambin
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2019/12/13
graphene
vertical transistor
high current density
van der Waals heterostructure
InAs film
resistor network model
Maximizing the Current Output in Self-Aligned Graphene–InAs–Metal Vertical Transistors
期刊论文
ACS Nano, 2019, 卷号: Vol.13 No.1, 页码: 847-854
作者:
Yuan Liu
;
Jian Guo
;
Enbo Zhu
;
Peiqi Wang
;
Vincent Gambin
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/13
graphene
high
current
density
InAs
film
resistor
network
model
van
der
Waals
heterostructure
vertical
transistor
Efficient Gate Modulation in a Screening-Engineered MoS/Single-Walled Carbon Nanotube Network Heterojunction Vertical Field-Effect Transistor.
期刊论文
ACS applied materials & interfaces, 2019
作者:
Phan, TL
;
Vu, QA
;
Kim, YR
;
Shin, YS
;
Lee, IM
收藏
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2019/12/13
carbon nanotubes
graphene
heterostructure
molybdenum disulfide
vertical field-effect transistor
Maximizing the Current Output in Self-Aligned Graphene-InAs-Metal Vertical Transistors.
期刊论文
ACS nano, 2019, 卷号: Vol.13 No.1, 页码: 847-854
作者:
Yuan Liu
;
Jian Guo
;
Enbo Zhu
;
Peiqi Wang
;
Vincent Gambin
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2019/12/17
InAs film
graphene
high current density
resistor network model
van der Waals heterostructure
vertical transistor
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