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半导体研究所 [12]
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苏州纳米技术与纳米仿... [1]
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内容类型
期刊论文 [14]
会议论文 [3]
学位论文 [1]
发表日期
2015 [1]
2014 [2]
2008 [1]
2005 [1]
2003 [4]
2002 [1]
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学科主题
半导体物理 [10]
Physics, A... [1]
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Study on photoluminescence properties of 1.05 eV InGaAsP layers grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2015, 卷号: 64, 期号: 17, 页码: 7
作者:
Yang, WX(杨文献)
;
Ji, L(季莲)
;
Dai, P(代盼)
;
Tan, M(谭明)
;
Wu, YY(吴渊源)
收藏
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2015/12/31
InGaAsP
molecular beam epitaxy
photoluminescence
carrier luminescence relaxation time
Hole Surface Trapping Dynamics Directly Monitored by Electron Spin Manipulation in CdS Nanocrystals
期刊论文
j. phys. chem. lett., 2014, 卷号: 5, 期号: 24, 页码: 4310
作者:
Li, Xiao
;
Feng, Donghai
;
Tong, Haifang
;
Jia, Tianqing
;
Deng, Li
收藏
  |  
浏览/下载:27/0
  |  
提交时间:2016/11/28
SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS
RATE FLUCTUATIONS
FLUORESCENCE
RELAXATION
BLINKING
RECOMBINATION
NANOPARTICLES
LUMINESCENCE
TRANSITIONS
STATE
Hole Surface Trapping Dynamics Directly Monitored by Electron Spin Manipulation in CdS Nanocrystals
期刊论文
j. phys. chem. lett., 2014, 卷号: 5, 期号: 24, 页码: 4310
作者:
Li, Xiao
;
Feng, Donghai
;
Tong, Haifang
;
Jia, Tianqing
;
Deng, Li
收藏
  |  
浏览/下载:10/0
  |  
提交时间:2016/11/28
SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS
RATE FLUCTUATIONS
FLUORESCENCE
RELAXATION
BLINKING
RECOMBINATION
NANOPARTICLES
LUMINESCENCE
TRANSITIONS
STATE
Exciton and hole spin dynamics in ZnO investigated by time-resolved photoluminescence experiments
期刊论文
PHYSICAL REVIEW B, 2008, 卷号: 78, 期号: 3
Lagarde, D
;
Balocchi, A
;
Renucci, P
;
Carrere, H
;
Zhao, F
;
Amand, T
;
Marie, X
;
Mei, ZX
;
Du, XL
;
Xue, QK
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2013/09/17
QUANTUM-WELLS
BOUND-EXCITON
RELAXATION
SPECTROSCOPY
COMPLEXES
若干纳米半导体量子限域效应及其超快光电特性
学位论文
博士: 中国科学院上海光学精密机械研究所, 2005
作者:
冯东海
收藏
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浏览/下载:40/0
  |  
提交时间:2016/11/28
半导体
纳米结构
量子限域效应
飞秒激光
超快动力学
A study of the growth and optical properties of alingan alloys
期刊论文
Acta physica sinica, 2003, 卷号: 52, 期号: 10, 页码: 2632-2637
作者:
Huang, JS
;
Dong, X
;
Lu, XL
;
Xu, ZY
;
Ge, WK
收藏
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浏览/下载:18/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Alingan
Mocvd
Localized exitons
Quantum dots
Localized exciton dynamics in alingan alloy
期刊论文
Solid state communications, 2003, 卷号: 126, 期号: 8, 页码: 473-477
作者:
Huang, JS
;
Dong, X
;
Luo, XD
;
Liu, XL
;
Xu, ZY
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2019/05/12
Alingan
Quantum dots
Hopping
Stretched-exponential decay
A study of the growth and optical properties of AlInGaN alloys
期刊论文
acta physica sinica, 2003, 卷号: 52, 期号: 10, 页码: 2632-2637
Huang JS
;
Dong X
;
Lu XL
;
Xu ZY
;
Ge WK
收藏
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浏览/下载:265/14
  |  
提交时间:2010/08/12
AlInGaN
MOCVD
localized exitons
quantum dots
TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE
MULTIPLE-QUANTUM WELLS
LUMINESCENCE
RELAXATION
SILICON
GAN
Localized exciton dynamics in AlInGaN alloy
期刊论文
solid state communications, 2003, 卷号: 126, 期号: 8, 页码: 473-477
Huang JS
;
Dong X
;
Luo XD
;
Liu XL
;
Xu ZY
;
Ge WK
收藏
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浏览/下载:42/0
  |  
提交时间:2010/08/12
AlInGaN
quantum dots
hopping
stretched-exponential decay
MULTIPLE-QUANTUM WELLS
LIGHT-EMITTING-DIODES
TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
THERMAL-ACTIVATION
LUMINESCENCE
TRANSITIONS
RELAXATION
SILICON
LAYERS
Optical properties of AIInGaN quaternary alloys
会议论文
conference on optoelectronic and microelectronic materials and devices (commad), sydney, australia, dec 11-13, 2002
Huang JS
;
Dong X
;
Luo XD
;
Liu XL
;
Xu ZY
;
Ge WK
收藏
  |  
浏览/下载:10/0
  |  
提交时间:2010/10/29
LIGHT-EMITTING-DIODES
LOCALIZED EXCITONS
LUMINESCENCE
RELAXATION
SILICON
BAND
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