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An investigation of FinFET single-event latch-up characteristic and mitigation method 期刊论文
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2020, 卷号: 114, 页码: 8
作者:  Li, Dongqing;  Liu, Tianqi;  Wu, Zhenyu;  Cai, Chang;  Zhao, Peixiong
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2021/12/13
TCAD  FinFET  SCR  SEL  
背照式CMOS图像传感器的累积辐射效应研究 学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020
作者:  张翔
收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2020/11/19
Total Ionizing Dose Influence on the Single-Event Multiple-Cell Upsets in 65-nm 6-T SRAM 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2019, 卷号: 66, 期号: 6, 页码: 892-898
作者:  Zheng, Qiwen;  Cui, Jiangwei;  Lu, Wu;  Guo, Hongxia;  Liu, Jie
收藏  |  浏览/下载：74/0  |  提交时间：2019/11/10
130nm部分耗尽绝缘体上硅工艺晶体管总剂量效应及模型研究 学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2019
作者:  席善学
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/07/15
Impact of TID on latch up induced by pulsed irradiation in CMOS circuits 期刊论文
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, 2019, 卷号: 440, 页码: 95-100
作者:  Li, Ruibin;  He, Chaohui;  Chen, Wei;  Li, Junlin;  Wang, Chenhui
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/11/19
An Effective Method of Reducing TSV Thermal Stress by STI 会议论文
2019 IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON ELECTRON DEVICES AND SOLID-STATE CIRCUITS (EDSSC), 2019-01-01
作者:  Wang, Fengjuan;  Qu, Xiaoqing;  Yu, Ningmei
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/20
Comparison of holes trapping and protons transport induced by low dose rate gamma radiation in oxide on different SiGe processes 期刊论文
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2019, 卷号: 103, 期号: 12, 页码: 1-5
作者:  Li, P (Li, Pei)[ 1 ];  He, CH (He, ChaoHui)[ 1 ];  Guo, HX (Guo, HongXia)[ 2,3 ];  Zhang, JX (Zhang, JinXin)[ 4 ];  Li, YH (Li, YongHong)[ 1 ]
收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2020/01/10
Total Ionizing Dose Response and Annealing Behavior of Bulk nFinFETs With ON-State Bias Irradiation 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2018, 卷号: 65, 期号: 8, 页码: 1503-1510
作者:  Yang, L (Yang, Ling)[ 1,2 ];  Zhang, QZ (Zhang, Qingzhu)[ 1,3 ];  Huang, YB (Huang, Yunbo)[ 1,2 ];  Zheng, ZS (Zheng, Zhongshan)[ 1,2 ];  Li, B (Li, Bo)[ 1,2 ]
收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2018/09/18
Bias Dependence of Radiation-Induced Narrow-Width Channel Effects in 65 nm NMOSFETs 期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2018, 卷号: 35, 期号: 4, 页码: 1-4
作者:  Zheng, QW (Zheng, Qi-Wen);  Cui, JW (Cui, Jiang-Wei);  Wei, Y (Wei, Ying);  Yu, XF (Yu, Xue-Feng);  Lu, W (Lu, Wu)
收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2018/05/07
Total ionizing dose and synergistic effects of magnetoresistive random-access memory 期刊论文
NUCLEAR SCIENCE AND TECHNIQUES, 2018, 卷号: 29, 期号: 8, 页码: 1-5
作者:  Zhang, XY (Zhang, Xing-Yao);  Guo, Q (Guo, Qi);  Li, YD (Li, Yu-Dong);  Wen, L (Wen, Lin);  Zhang, XY
收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2018/08/07

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