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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Positive Shift in Threshold Voltage Induced by CuO and NiOx Gate in AlGaN/GaN HEMTs 期刊论文 IEEE Transactions on Electron Devices, 2017, 卷号: Vol.64 No.8, 页码: 3139-3144 作者:  Li, Y;  Guo, YX;  Zhang, K;  Zou, XM;  Wang, JL 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/31 Logic gates  HEMTs  MODFETs  Aluminum gallium nitride  Wide band gap semiconductors  Threshold voltage  AlGaN/GaN  CUO gate  NiOₓ gate  p-type metal oxide  threshold voltage   Positive Shift in Threshold Voltage Induced by CuO and NiOₓ Gate in AlGaN/GaN HEMTs 期刊论文 IEEE Transactions on Electron Devices, 2017, 页码: 1-6 作者:  Yi Li;  Yaxiong Guo;  Kai Zhang;  Xuming Zou;  Jingli Wang 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/31 Logic gates  HEMTs  MODFETs  Aluminum gallium nitride  Wide band gap semiconductors  Threshold voltage  AlGaN/GaN  CuO gate  NiOₓ  gate  p-type metal oxide  threshold voltage.   Low Leakage Current and High-Cutoff Frequency AlGaN/GaN MOSHEMT Using Submicrometer-Footprint Thermal Oxidized TiO2/NiO as Gate Dielectric 期刊论文 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2013, 卷号: 34, 期号: 6, 页码: 738-740 作者:  Zhang, YH(张耀辉) 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2014/01/15 AlGaN/GaN  cutoff frequency  metal oxide semiconductor high electron mobility transistor (MOSHEMT)  thermal oxidized TiO2   Low Leakage Current and High-Cutoff Frequency AlGaN/GaN MOSHEMT Using Submicrometer-Footprint Thermal Oxidized TiO2/NiO as Gate Dielectric 期刊论文 ieee electron device letters, 2013 Meng, Di; Lin, Shuxun; Wen, Cheng P.; Wang, Maojun; Wang, Jinyan; Hao, Yilong; Zhang, Yaohui; Lau, Kei May; Wu, Wengang 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/10 AlGaN/GaN  cutoff frequency  metal oxide semiconductor high electron mobility transistor (MOSHEMT)  thermal oxidized TiO2  FIELD-EFFECT TRANSISTORS  AL2O3  LAYER  HEMTS   Characteristics of submicron-footprint TiO2 based AlGaN/GaN MOSHEMT on SiC substrate 其他 2013-01-01 Di, Meng; Lin, Shuxun; Wen, Cheng P.; Wang, Maojun; Wang, Jinyan; Hao, Yilong; Zhang, Yaohui; Lau, Kei May; Wu, Wengang 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2015/11/13 高介电栅介质材料HfO2掺杂后的物理电学特性（英文） 期刊论文 功能材料与器件学报, 2009, 卷号: 15, 期号: 1, 页码: 71-74 作者:  武德起;  姚金城;  赵红生;  张东炎;  常爱民 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2012/11/29 高介电栅介质材料  激光分子束外延  二氧化铪