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| 金属管件内表面防腐耐磨一体化 DLC薄膜的构筑 学位论文
北京: 中国科学院大学, 2022
作者: 魏徐兵
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| 实现VCSEL阵列或VCSEL器件的集成电路 专利
专利号: CN110383486A, 申请日期: 2019-10-25, 公开日期: 2019-10-25
作者: 杰弗·W·泰勒; 蔡建红
收藏 | 浏览/下载：28/0 | 提交时间：2019/12/31 |
| 高分辨的束流光学系统与调束设备的设计和测试以及N=Z原子核的质量测量 学位论文
中国科学院大学: 中国科学院大学(中国科学院近代物理研究所), 2019
作者: 葛壮
收藏 | 浏览/下载：61/0 | 提交时间：2019/11/21 |
| 少模面发射激光器 专利
专利号: CN105428999B, 申请日期: 2018-12-07, 公开日期: 2018-12-07
作者: 刘建国; 于丽娟; 苏亚嫚; 祝宁华
收藏 | 浏览/下载：19/0 | 提交时间：2019/12/26 |
| 一种脊形半导体激光二极管的制备方法 专利
专利号: CN108832483A, 申请日期: 2018-11-16, 公开日期: 2018-11-16
作者: 张雨; 于军; 张新; 朱振
收藏 | 浏览/下载：11/0 | 提交时间：2019/12/30 |
| 一种平面型IGBT结构的制备方法 专利
专利号: CN201310085579.1, 申请日期: 2018-11-06, 公开日期: 2014-06-04
作者: 卢烁今 ; 赵佳; 朱阳军; 陆江; 田晓丽
收藏 | 浏览/下载：26/0 | 提交时间：2019/03/07 |
| 一种功率器件的制备方法 专利
专利号: CN201310086257.9, 申请日期: 2018-09-11, 公开日期: 2014-06-04
作者: 吴振兴; 朱阳军; 田晓丽; 卢烁今
收藏 | 浏览/下载：15/0 | 提交时间：2019/03/07 |
| 一种碳化硅MOSFET沟道自对准工艺实现方法 专利
专利号: CN201510564659.4, 申请日期: 2018-07-20, 公开日期: 2015-11-18
作者: 彭朝阳; 刘新宇; 刘国友; 李诚瞻; 汤益丹
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| 一种IGBT的缓冲层结构及其制作方法 专利
专利号: CN201310085624.3, 申请日期: 2018-06-19, 公开日期: 2014-06-04
作者: 喻巧群; 朱阳军; 卢烁今; 吴振兴; 田晓丽
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