一种IGBT的缓冲层结构及其制作方法

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	一种IGBT的缓冲层结构及其制作方法
	喻巧群; 朱阳军; 卢烁今; 吴振兴; 田晓丽
	2018-06-19
著作权人	中国科学院微电子研究所 ; 上海联星电子有限公司 ; 江苏中科君芯科技有限公司
专利号	CN201310085624.3
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明公开了一种IGBT的缓冲层结构及其制作方法，属于功率半导体技术领域，该缓冲层包括至少两层N型掺杂层，缓冲层在漂移区和P+集电区之间，制作该缓冲层的方法为：在N-型衬底的背面通过质子辐照形成第一掺杂层，第一掺杂层的掺杂浓度为5e14/cm3–5e16/cm3；在第一掺杂层通过掩膜板划分出掩膜区域和透光区域；通过质子辐照或者离子注入的方法在透光区域形成第二掺杂层，第二掺杂层的掺杂浓度为1e15/cm3–5e17/cm3。本发明可以获得更理想的缓冲层掺杂浓度分布，可以改善开关速度，同时抑制导通压降的波动。
公开日期	2014-06-04
申请日期	2013-03-18
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.107/handle/172511/18674]
专题	微电子研究所_硅器件与集成研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	喻巧群,朱阳军,卢烁今,等. 一种IGBT的缓冲层结构及其制作方法. CN201310085624.3. 2018-06-19.