一种功率器件的制备方法

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	一种功率器件的制备方法
	吴振兴; 朱阳军; 田晓丽; 卢烁今
	2018-09-11
著作权人	中国科学院微电子研究所 ; 上海联星电子有限公司 ; 江苏中科君芯科技有限公司
专利号	CN201310086257.9
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明公开了一种功率器件的制备方法，属于半导体技术领域。该方法包括，在N+型衬底的上表面淀积N型掺杂的非晶硅薄膜层，形成N型的非晶硅场截止层，经高温退火后，通过外延方法在N型的非晶硅场截止层上形成N-外延层，然后在N-外延层的上表面形成SiO2薄膜层,在SiO2薄膜层的上表面曝光出环状区域，形成终端的保护环结构；在终端截止环上曝光出最外围的环状区域，然后进行N+型离子注入和退火，形成终端区。本发明通过外延非晶硅形成的N型层作为功率器件的场截止层，剩余的载流子会很快被复合掉，外在表现就是使功率器件关断的拖尾电流变短，减小关断时间及关断损耗。
公开日期	2014-06-04
申请日期	2013-03-18
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.107/handle/172511/18681]
专题	微电子研究所_硅器件与集成研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	吴振兴,朱阳军,田晓丽,等. 一种功率器件的制备方法. CN201310086257.9. 2018-09-11.