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| 磷化铟高电子迁移率晶体管外延结构材料抗电子辐照加固设计 期刊论文
物理学报, 2022, 卷号: 71, 期号: 3, 页码: 290-297
作者: 周书星1; 方仁凤1; 魏彦锋1; 陈传亮1; 曹文彧1
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| 一种高速掩埋DFB半导体激光器及其制备方法 专利
专利号: CN110098562A, 申请日期: 2019-08-06, 公开日期: 2019-08-06
作者: 薛贤铨
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| 一种DFB半导体激光器芯片 专利
专利号: CN110086085A, 申请日期: 2019-08-02, 公开日期: 2019-08-02
作者: 薛正群; 吴林福生; 杨重英; 陆绿; 苏辉
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| 基于随机分布布拉格反射光栅的InP基单片集成混沌半导体激光器芯片 专利
专利号: CN107809059B, 申请日期: 2019-07-02, 公开日期: 2019-07-02
作者: 张明江; 王安帮; 牛亚楠; 张建忠; 赵彤
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| 一种高速DFB半导体激光器 专利
专利号: CN208078379U, 申请日期: 2018-11-09, 公开日期: 2018-11-09
作者: 薛贤铨; 薛贤旺; 孙全意
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| 一种高速DFB半导体激光器的制备方法 专利
专利号: CN108418094A, 申请日期: 2018-08-17, 公开日期: 2018-08-17
作者: 薛贤铨; 薛贤旺; 孙全意
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| 硅基InGaAs/InP量子阱材料生长研究 学位论文
北京: 中国科学院大学, 2018
作者: 王梦琦
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| 一种随机散射光反馈的InP基单片集成混沌半导体激光器芯片 专利
专利号: CN107658694A, 申请日期: 2018-02-02, 公开日期: 2018-02-02
作者: 张明江; 张建忠; 牛亚楠; 刘毅; 赵彤
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| 基于SOI衬底InGaAs/InP多量子阱结构纳米线研究 学位论文
北京: 中国科学院闱地, 2017
作者: 李稚博
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| 激光器阵列与合波器单片集成芯片的制作方法 专利
专利号: CN103545715B, 申请日期: 2016-01-06, 公开日期: 2016-01-06
作者: 梁松; 朱洪亮; 王圩
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