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Morphology and carrier mobility of high-B-content BxAl1xN ternary alloys from an ab initio global search
期刊论文
Nanoscale, 2022, 卷号: 14, 期号: 31, 页码: 11335-11342
作者:
Z. Qi
;
Z. Shi
;
H. Zang
;
X. Ma
;
Y. Yang
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提交时间:2023/06/14
Investigation of native defects and impurities in X-N (X = Al, Ga, In)
期刊论文
COMPUTATIONAL MATERIALS SCIENCE, 2021, 卷号: 188, 页码: 9
作者:
Chen, Yingjie
;
Wu, Liyuan
;
Liang, Dan
;
Lu, Pengfei
;
Wang, Jianjun
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2021/12/01
Group III nitrides
First-principles
Bulk modulus
Defect levels
Formation energies
Cation Vacancy in Wide Bandgap III-Nitrides as Single-Photon Emitter: A First-Principles Investigation
期刊论文
Advanced Science, 2021, 卷号: 8, 期号: 18
作者:
H. Zang
;
X. Sun
;
K. Jiang
;
Y. Chen
;
S. Zhang
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2022/06/13
Point defects in group III nitrides: A comparative first-principles study
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2019, 卷号: 125
作者:
Gao, Yinlu
;
Sun, Dan
;
Jiang, Xue
;
Zhao, Jijun
收藏
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浏览/下载:81/0
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提交时间:2019/12/02
Aluminum nitride
Binary alloys
Calculations
Density functional theory
Energy gap
Gallium nitride
III-V semiconductors
Nitrides
Point defects
Semiconductor devices
Semiconductor doping
Time varying systems, Defect configurations
Diffusion properties
Donor and acceptor
First-principles study
Migration barriers
Native point defects
Self-compensation effects
Wide-bandgap semiconductor devices, Wide band gap semiconductors
Structural stability and electronic properties of the (0001) inversion domain boundary in III-nitrides
期刊论文
COMPUTATIONAL MATERIALS SCIENCE, 2018, 卷号: 154, 页码: 152-158
作者:
Li, Siqian
;
Lei, Huaping
;
Anglade, Pierre-Matthieu
;
Chen, Jun
;
Ruterana, Pierre
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浏览/下载:44/0
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提交时间:2019/12/20
Inversion domain boundary (IDB)
Group III-nitrides
DFT
Chemical bonding
Electronic structure
First-principles study of alloying effects on fluorine incorporation in AlxGa1-xN alloys
期刊论文
Journal of Physics D: Applied Physics, 2018, 卷号: 51, 期号: 6
作者:
Wang, Rong*
;
Tan, Wei*
;
Zhang, Jian
;
Chen, Feng-Xiang
;
Wei, Su-Huai*
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/04
semiconductors
alloys
defects
group-III nitrides
first-principles calculations
提高GaN基垂直结构LED发光效率的研究
学位论文
2016, 2014
李晓莹
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2017/06/20
氮化镓
垂直结构发光二极管
In组分渐变多量子阱
低压激光剥离
侧壁粗化。
GaN
vertical-structured light-emitting diodes
graded-indium content multiple quantum wells
low-pressure laser lift-off
sidewall texturing
Reproducible bipolar resistive switching in entire nitride AlN/n-GaN metal-insulator-semiconductor device and its mechanism
期刊论文
Applied Physics Letters, 2014, 卷号: 105, 期号: 19, 页码: 5
Chen Y. R.
;
Song H.
;
Jiang H.
;
Li Z. M.
;
Zhang Z. W.
;
Sun X. J.
;
Li D. B.
;
Miao G. Q.
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2015/04/24
Low-density nanoporous phases of group-III nitrides built from sodalite cage clusters
期刊论文
2013, 卷号: 15, 页码: 8186-8198
作者:
Liu, Zhifeng[1]
;
Wang, Xinqiang[1]
;
Liu, Gaobin[1]
;
Zhou, Ping[1,2]
;
Sui, Jian[1]
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2019/11/28
Contribution of GaN template to the unexpected Ga atoms incorporated into AlInN epilayers grown under an indium-very-rich condition by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD)
期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2012, 卷号: 348, 期号: 1, 页码: 25-30
作者:
S.M. Zhang(张书明)
;
Y.M. Fan(范亚明)
;
B.S. Zhang(张宝顺)
;
H. Yang(杨辉)
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2013/01/22
Diffusion
Metalorganic chemical vapor deposition
Nitrides
Semiconducting quaternary alloys
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